[发明专利]光记录媒体

说明书

技术领域

本发明涉及相变型光记录媒体。

背景技术

近年来，可高密度记录且可擦除记录信息进行改写的光记录媒体引人注目。可改写型的光记录媒体中有相变型光记录媒体，其中通过照射激光改变记录层的晶体状态而进行记录，并通过检测伴随这种状态变化而产生的记录层的反射率变化进行重放。由于相变型光记录媒体的驱动装置的光学系统比磁光记录媒体的简单，所以相变型光记录媒体引人注目。

由于其晶体状态和非晶体状态的反射率的差大且非晶体状态的稳定性比较高。相变型的记录层，多采用Ge-Sb-Te系等的硫族材料。

在相变型光记录媒体中记录信息时，照射使记录层升温到熔点以上的高功率(记录功率)的激光。在施加记录功率的部分，记录层熔化后急冷，形成非晶态的记录标记。而在擦除记录标记时，对记录层照射较低功率(擦除功率)的激光，使记录层升温到结晶温度以上但低于熔点的温度。被施加擦除功率的记录标记，被加热到结晶温度以上，然后缓冷，又成为晶态。因此，通过只改变激光的强度，相变型光记录媒体就可以进行重写。

为了实现记录的高密度化和高传输速度化，需要进一步使记录重放波长缩短，提高记录重放光学系统的物镜数值孔径，并提高媒体的线速度。记录用激光束的记录层表面上的光斑直径在激光波长为λ，数值孔径为NA时可表示为λ/NA，其除以媒体线速度V得到的值(λ/NA)/V就是激光束对记录层的照射时间(光斑通过需要的时间)。伴随着高密度化和高传输速度化，对记录层的照射时间愈发地变短了。因此，更难以使重写条件最优化。

现在，说明提高线速度进行重写时的问题。

线速度增加时，记录用激光束(下称记录光束)的照射时间变短。因此一般地，通过随着线速度增加提高记录功率，就可以防止记录层到达的温度降低。

另外，为了擦除非晶态记录标记(再结晶化)，必须以使记录层在高于结晶化温度且低于熔点的温度下保持长于一定时间的方式，照射擦除光。即使相应于高线速化而提高擦除功率以防止记录层到达的温度降低，由于伴随着高线速化照射时间变短，使擦除记录标记变得困难。

因此，为了提高线速度并提高传输速度，记录层必须是可以较短的时间再结晶化、例如日本专利特开平1-78444号公报、和平10-326436号公报所示的使结晶化速度比较快的成分。

发明概述

但是，结晶转移速度快即结晶化所需时间短的记录层的热稳定性低。即，由于在温度比较高的环境下容易结晶化，存在保存可靠性低的问题。

另外，作为实现高传输速度的方法，提高媒体的线速度的方法虽然提高了媒体的线记录密度，但本发明人发现如果为了提高线记录密度而减小记录标记长度，就会降低记录标记的热稳定性。

本发明的目的在于提供可以提高传输速度，而且记录层的热稳定性良好的相变型光记录媒体。

通过下面的(1)-(3)的发明可以实现这些目的。

(1).一种光记录媒体，其中：具有以Sb作为主成分的相变型记录层，该记录层结晶化时，结晶化区域含有基本上由Sb构成的菱形晶体，且基本上不包含除基本上由Sb构的菱形晶体以外的结晶相。

(2).如上述(1)所述的光记录媒体，其中：上述记录层中作为主成分还含有Te和/或In。

(3).如上述(1)或(2)所述的光记录媒体，其中：

上述记录层含有作为副成分的选自稀土类元素、Zr、Hf、Ti和Sn的至少一种元素；

在从记录/重放光束入射侧看的记录层的前侧具有与记录层相接的介电层，该介电层含有硫化锌与氧化硅的混合物、氧化硅、氮化硅或氧化铝，上述混合物中的氧化硅含量为30mol％以上。

以Sb为主要构成成分的相变型记录层，Sb含量越多，结晶转变速度越快。另外，Sb含量越多，记录层的热稳定性越差。为了提高热稳定性，只能抑制Sb含量，最好是替换成提高热稳定性的元素，但是此时难以提高记录层的结晶转变速度。

本发明的媒体中的相变型记录层，结晶区含有基本上由Sb构成的菱形晶体，且基本上不包含除该菱形晶体之外的结晶相。在以Sb为主要构成成分的相变型记录层中，如果存在的结晶相基本上都是Sb构成的菱形晶体，与Sb含量相同的由面心立方晶体(fcc)构成的记录层相比，结晶转变速度更快，另外，与Sb含量相同的由Sb相和Sb₂Te₃相构成的记录层相比，结晶转变速度也更快。因此，本发明可以实现可以高线速度重写，且热稳定性良好的相变型光记录媒体。