[发明专利]陶瓷的制造方法及其制造设备以及半导体器件和压电元件

权利要求书

1、一种陶瓷的制造方法，包括：在混合至少形成陶瓷的原材料一部分的原料材料的微粒子和活性材料以后供给基体，并在该基体上面形成强电介质膜的工序。

2、根据权利要求1所述陶瓷的制造方法，其特征是上述微粒子直径是0.1μm以下。

3、根据权利要求1所述陶瓷的制造方法，其特征是上述微粒子直径是0.01μm以下。

4、根据权利要求1～3任一项所述陶瓷的制造方法，其特征是上述微粒子带有电荷。

5、根据权利要求1～4任一项所述陶瓷的制造方法，其特征是上述原料材料的微粒子，在与活性材料混合以前被汽化。

6、根据权利要求1～5任一项所述陶瓷的制造方法，其特征是上述活性材料是原子团或离子。

7、根据权利要求6所述陶瓷的制造方法，其特征是上述活性材料是形成上述陶瓷的原材料一部分的原料材料原子团和离子。

8、根据权利要求6所述陶瓷的制造方法，其特征是上述活性材料是氧或氮的原子团或离子。

9、根据权利要求6所述陶瓷的制造方法，其特征是上述活性材料是激活惰性气体得到的离子。

10、根据权利要求9所述陶瓷的制造方法，其特征是上述惰性气体是氩或氙的离子。

11、根据权利要求1～10任一项所述陶瓷的制造方法，其特征是上述活性材料至少在加速的状态下供给上述基体。

12、根据权利要求1～11任一项所述陶瓷的制造方法，其特征是上述陶瓷膜是对上述基体部分地形成的。

13、根据权利要求12所述陶瓷的制造方法，其特征是包括在上述基体的表面上，形成对成膜的陶瓷具有亲和性的膜形成部和对成膜的陶瓷不具有亲和性的非膜形成部，自对准地在上述膜形成部形成陶瓷膜的工序。

14、根据权利要求1～13任一项所述陶瓷的制造方法，其特征是上述陶瓷膜用LSMCD法或喷雾CVD法形成。

15、根据权利要求1～14任一项所述陶瓷的制造方法，其特征是上述陶瓷膜由电介质构成。

16、根据权利要求15所述陶瓷的制造方法，其特征是上述电介质是在600℃以下的温度形成。

17、根据权利要求15所述陶瓷的制造方法，其特征是上述电介质是在450℃以下的温度形成。

18、一种陶瓷的制造设备，包括：

形成陶瓷的基体的配置部分；

用于把上述基体加热到规定温度的加热部分。

用于在微粒子状态下，供给至少形成陶瓷原材料一部分的原料材料的原料材料供给部分，

用于供给活性材料的活性材料供给部分，和

用于混合由上述原料材料供给部分供给的原料材料和由上述活性材料供给部分供给的活性材料的混合部分，以及

将上述原料材料和上述活性材料混合以后，供给上述基体进行成膜。

19、根据权利要求18所述陶瓷的制造设备，其特征是上述成膜用LSMCD法或喷雾CVD法进行。

20、根据权利要求18或19所述陶瓷的制造设备，其特征是通过上述原料材料供给部分，将上述微粒子制成直径0.1μm以下。

21、根据权利要求18或19所述陶瓷的制造设备，其特征是通过上述原料材料供给部分，将上述微粒子制成直径0.01μm以下。

22、根据权利要求18～21任一项所述陶瓷的制造设备，其特征是上述微粒子带有电荷。

23、根据权利要求18～22任一项所述陶瓷的制造设备，其特征是上述原料材料供给部分包括原料贮藏部和将由原料贮藏部供给的原料制成微粒子的雾化部。

24、根据权利要求23所述陶瓷的制造设备，其特征是上述原料材料供给部分还具有加热部，利用该加热部使上述微粒子汽化。

25、根据权利要求18～24任一项所述陶瓷的制造设备，其特征是上述活性材料供给部分供给包括原子团或离子的活性材料。