[发明专利]在准微波段具有最大复导磁率的磁物质及其生产方法

权利要求书

1.一种含有M、X和Y的磁合成物磁物质，这里M是包含Fe、Co和/或Ni的金属磁性材料，X是不同于M和Y的一种或多种元素，Y是F、N和/或O，其特征在于所述M-X-Y磁合成物在该合成物中具有一M的浓度使得所述M-X-Y磁合成物的饱和磁化强度为只含有M的金属磁性材料体的饱和磁化强度的35-80％，所述磁合成物在频率0.1-10千兆赫(GHz)范围内有复导磁率μ″的最大值μ″_max。

2.根据权利要求1的磁物质，它有一个相对带宽bwr为200％或更小的相对较窄频带的复导磁率频率响应，所述相对带宽bwr是作为两个频率点之间的带宽与该带宽的中心频率之百分比来确定的，这两个频率点位于复导磁率为最大值μ″_max的一半值μ″₅₀处。

3.根据权利要求2的磁物质，所述金属磁性材料X有一个饱和磁化强度，其中，所述磁合成物具有饱和磁化强度，它是金属磁性材料X的饱和磁化强度的60-80％。

4.根据权利要求2或3的磁物质，其中，所述磁合成物具有100至700μΩ·cm的直流电阻率。

5.根据权利要求1的磁物质，它有一个相对带宽bwr为150％或更大的相对宽频带的复导磁率频率响应，所述相对带宽bwr是作为两个频率点之间的带宽与该带宽的中心频率之百分比来确定的，运两个频率点位于复导磁率为最大值μ″_max的一半值μ″₅₀处。

6.根据权利要求5的磁物质，所述金属磁性材料X有一个饱和磁化强度，其中，所述磁合成物具有饱和磁化强度，它是金属磁性材料X的饱和磁化强度的35-60％。

7.根据权利要求5或6的磁物质，其中，所述磁合成物具有500μΩ·cm或更大的直流电阻率。

8.根据权利要求1-7中任何一个的磁物质，其中，X是C、Bi、Si、Al、Mg、Ti、Zn、Hf、Sr、Nb、Ta和/或稀土金属。

9.根据权利要求1-8中任何一个的磁物质，其中，所述金属磁性材料M作为粒状颗粒分布在含有X和Y的矩阵合成物中。

10.根据权利要求8的磁物质，其中，所述粒状颗粒的平均颗粒大小是1-40nm。

11.根据权利要求1-10中任何一个的磁物质，其中，所述磁合成物有各向异性场600 Oe或更小。

12.根据权利要1-11中任何一个的磁物质，其中，所述磁合成物是由公式Fe_α-Al_β-O_γ表示的合成物。

13.根据权利要求1-11中任何一个的磁物质，其中，所述磁合成物是由公式Fe_α-Si_β-O_γ表示的合成物。

14.根据权利要求1-13中任何一个的磁物质，其中，所述磁合成物是用溅射过程形成的薄膜。

15.根据权利要求1-13中任何一个的磁物质，其中，所述磁合成物是用蒸气沉积过程形成的薄膜。

16.根据权利要求1-15中任何一个的磁物质，它是作为厚度0.3-20μcm的板形成的，用作高频噪声压制器。

17.一种用于压制高频噪声在电子装置的电路线中流动的方法，特征在于把权利要求16的所述板放在所述电子装置附近或直接放在所述电子装置上。