[发明专利]灯泡退火装置和显示元件用基片

权利要求书

1.一种用来使在基片上边形成的半导体膜退火的灯泡退火装置，具备：

向透明基片投射用来加热的光的光投射装置；

及配置在上述透明基片与上述光投射装置之间，选择加热上述透明基片上边的规定区域的选择加热装置。

2.如权利要求1所述的灯泡退火装置，上述选择加热装置是仅仅向上述透明基片上边的上述规定区域上照射由上述光投射装置投射的光的遮光掩模。

3.如权利要求2所述的灯泡退火装置，上述半导体膜仅仅在上述规定的区域上形成。

4.如权利要求2所述的灯泡退火装置，上述遮光掩模具有最小宽度为5～100微米的开口部分图形。

5.如权利要求2所述的灯泡退火装置，上述透明基片与上述遮光掩模以0.1～10mm的间隔配置。

6.如权利要求1所述的灯泡退火装置，上述选择照射装置是仅仅透过由上述照射装置投射的光中规定的波长成分的光学滤光片。

7.如权利要求6所述的灯泡退火装置，上述光学滤光片是截止波长比规定值还长的光的低通滤光片，而上述规定值为2.5微米以上。

8.如权利要求6所述的灯泡退火装置，上述光学滤光片是截止波长比规定值还长的光的低通滤光片，而上述规定值为700nm以上。

9.如权利要求6所述的灯泡退火装置，上述光学滤光片是截止波长比规定值还短的光的高通滤光片，而上述规定值为350nm以下。

10.如权利要求6所述的灯泡退火装置，上述光学滤光片是截止波长比规定值还短的光的高通滤光片，截止提高构成上述透明基片的材料的能带能级的波长的光。

11.如权利要求6所述的灯泡退火装置，上述光学滤光片由与上述透明基片相同的材料构成。

12.如权利要求6所述的灯泡退火装置，上述光学滤光片是透过波长为350～700nm的光的带通滤光片。

13.如权利要求6所述的灯泡退火装置，上述光学滤光片是透过波长为350～2.5微米的光的带通滤光片。

14.如权利要求6所述的灯泡退火装置，还具备配置在上述光投射装置与上述透明基片之间，仅仅向上述透明基片上边的规定区域照射由上述光投射装置投射过来的光的遮光掩模。

15.如权利要求1所述的灯泡退火装置，上述光投射装置被配置为分别与上述透明基片的一对主面对置，上述选择加热装置被配置在至少其中一方。

16.如权利要求1所述的灯泡退火装置，还具备用来使上述光投射装置与上述透明基片之间的相对位置变化的变位装置，上述光投射装置仅仅向上述透明基片上边的限定的区域照射光。

17.如权利要求16所述的灯泡退火装置，上述透明基片的位置和上述选择加热装置的位置被固定，上述变位装置使上述光投射装置进行移动。

18.如权利要求1所述的灯泡退火装置，还具备用来抑制上述选择加热装置的温度上升的冷却机构。

19.如一种用来使在透明基片上边形成的半导体膜退火的灯泡退火装置，具备：

向在透明基片上边形成的半导体膜投射用来加热上述半导体膜的光的光投射装置；

测定透过了上述半导体膜和上述透明基片或被上述半导体膜反射的规定波长的光的光测定装置；

根据用上述光测定装置得到的测定结果，评价上述半导体膜的结晶状态的结晶评价装置；

根据用上述结晶评价装置得到的评价结果，控制上述半导体膜的处理条件的光照射控制装置。

20.如权利要求19所述的灯泡退火装置，上述光测定装置，检测由上述光投射装置投射过来的光。

21.如权利要求19所述的灯泡退火装置，还具备评价用光源，用来向上述半导体膜投射上述光测定装置所接受的光。

22.如权利要求19所述的灯泡退火装置，还具备变位装置，用来使上述光投射装置与上述透明基片之间的相对位置变化，上述光投射装置仅仅向上述透明基片上边的限定的区域照射光。