[实用新型]组合型线列硅光探测器无效
| 申请号： | 01277169.4 | 申请日： | 2001-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN2518092Y | 公开（公告）日： | 2002-10-23 |
| 发明（设计）人： | 江美玲;梁平治;丁爱娣;张学敏;陈世军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | G01J3/12 | 分类号： | G01J3/12 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 组合 型线列硅光 探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种组合型线列硅光探测器，包括：底板(1)、线列芯片(5)和带窗口(6)的框架(7)，底板为环氧板其正面二边布有根据线列芯片引线要求排列的电极引线图(2)，底板的背面置有穿过底板且与底板正面电极引线端点电学联接的插针(3)；底板正面中间置有与底板牢固结合的长条形的衬底电极块(4)，该电极块与电极引线图中的多根公共引线相接；长条形衬底电极块上置有线列芯片(5)，线列芯片光敏元的信号引出是通过硅铝丝与底板上相对应的电极引线联结；线列芯片上罩有带窗口(6)的框架(7)，框架通过环氧胶固定在底板上，其特征在于：
A.所说的线列芯片(5)是由对不同光谱段增强的多个子线列芯片拼接而成，子线列芯片是由N型硅片通过掺杂形成P-N结的线列光敏元组成；
B.所说的窗口(6)在1-20光敏元上方为全透玻璃，21-64光敏元上方为蒸镀有0.7μm前截止滤光薄膜。
2.根据权利要求1一种组合型线列硅光探测器，其特征在于：所说的对不同光谱段增强的多个子线列芯片是根据对用于探测460nm到620nm波段信号的子线列芯片，SiO2增透膜厚度为60-80nm；探测620nm到940nm波段信号的子线列芯片，SiO2增透膜厚度为100-120nm；探测940nm到1100nm波段信号的子线列芯片，SiO2增透膜厚度为190-210nm。
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