[实用新型]形状记忆致动式可调波长平台

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种形状记忆致动式可调波长平台，借由微机电的制程技术与形状记忆合金材料的特性，利用形状记忆元件的变形量带动光波导的等效变形，同时亦使光栅产生均匀的变形量，达到均匀变化光栅间距与产生不同的光波长的目的。

背景技术

光通讯网络技术为现今科技的主流，致使各国均致力于该技术的相关研究，而光通讯网络技术均朝向微小化及高精度的需求方向发展，故其加工多利用微机电的制程技术，而可调波长平台在光通讯网络技术占有一席之地。而该可调波长平台的种类繁多，参见图1所示，为已知的可调波长平台的特性比较图，其中，可调波长平台分为热致动式、巨磁致伸缩式、电磁式及压电式。

参见图2所示，为已知的热致动式可调波长平台的结构示意图，其缺点为调整波长不准确、受环境影响大等；如美国专利第5812711号所揭示的，参见图3所示，为已知的巨磁致伸缩式可调波长平台的结构示意图，其利用电流的改变来控制电磁铁1a的磁场大小，使其相邻的磁致伸缩组件2产生应变，致使光栅3a的间距改变，并采用点黏着光栅的设计，其缺点在于调整波长变化量小及致动电压大等；如美国专利第6108470号所揭示，参见图4所示，为已知电磁式可调波长平台的结构示意图，其利用对温度灵敏度高的电磁铁1b使光波导11产生应变，致使改变光波导11的光栅3b的间距，并采用点黏着光栅的设计，其缺点为光栅间距变化不均匀与受环境影响大及调整波长不准确等；而已知压电式可调波长平台的结构示意图，如图5所示，其压电材料具有纳米级的分辨率，响应频宽可达到千赫等级，有足够的刚性、高分辨率及稳健的驱动力等优点，但是其磁滞效应(hysteresis)颇为显著，尤其是在纳米级高精度追踪控制上，磁滞造成控制的可重复性(repeatability)变差，使得波长不易准确的调整，且当电压增加及减少时，其延伸位移量的差异性依材质不同而约有2％～15％的误差量，且驱动电压高。

因此，在光通讯网络技术中的热致动式可调波长平台、电磁式可调波长平台、巨磁致伸缩式可调波长平台及压电式可调波长平台均具有其上述的缺点，因此，可调波长平台用于光通讯网络技术仍有待发展。

技术方案

本实用新型的主要目的，在于解决上述的缺陷，避免上述缺陷的存在，本实用新型提供一种形状记忆致动式可调波长平台，利用形状记忆元件的变形量带动光波导的等效变形，同时亦使光栅产生均匀的变形量，以达到均匀变化光栅间距与产生不同的光波长的目的。

本实用新型的又一目的，为提供一种形状记忆致动式可调波长平台，可满足各种光波导材料的需求，且达到大位移量的目的。

为实现上述的目的，本实用新型提供一种形状记忆致动式可调波长平台，借由一控制单元驱动该形状记忆元件，使其沿该光波导方向产生均匀变形，且因形状记忆元件与光波导的紧密结合作用，故亦带动光波导的光栅沿该光波导方向产生变形，如此即可达到均匀变化光栅的间距的目的。

本实用新型的形状记忆致动式可调波长平台，利用形状记忆元件的变形量带动光波导的等效变形，同时亦使光栅产生均匀的变形量，可达到均匀变化光栅间距，另根据选用不同光波导材料的需求，可达到大位移量。

附图说明

图1为已知的可调波长平台的特性比较图。

图2为已知的热致动式可调波长平台的结构示意图。

图3为已知的巨磁致伸缩式可调波长平台的结构示意图。

图4为已知的电磁式可调波长平台的结构示意图。

图5为已知的压电式可调波长平台的结构示意图。

图6为本实用新型形状记忆致动式可调波长平台示意图。

图7为本实用新型形状记忆致动式可调波长平台动作示意图。

图8为本实用新型形状记忆致动式可调波长平台的位移变化量与光栅的波长变化量的关系曲线图。

图9为本实用新型的光波导材质物理性质图。

具体实施方式