[实用新型]可减低应力的晶片构装无效

专利信息
申请号: 01267389.7 申请日: 2001-10-15
公开(公告)号: CN2507136Y 公开(公告)日: 2002-08-21
发明(设计)人: 吴澄郊 申请(专利权)人: 台湾沛晶股份有限公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L21/50
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 台湾省*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 减低 应力 晶片
【说明书】:

技术领域

实用新型是与晶片构装有关,更详而言之是指一种可减低应力的晶片构装。

背景技术

一般现有的晶片构装1,如图1所示,其具有一载体2,该载体2具有一顶面2a及一底面2b,且自该顶面2a处向下凹陷而形成有一开口向上的容室2c;一集成电路晶片3,是置设于该载体2容室2c的底部2d上,并由多数的焊线4将其电性传导于该载体2上,而可由该载体2与外界连接,进而将该晶片3的电性导通于外界;此外,该载体2的顶面2a上还罩设有一封盖5,是用以封闭该容室2a的开口,使该晶片3可不受外力的破坏或污染。

惟,该载体2一般是为塑胶、玻璃纤维或陶瓷等材质中的一种所制成,而该晶片3则是由硅元素所制成;由于此两种材质的不同,将使得该载体2的热膨胀系数(19×10-6)远高于该晶片3的热膨胀系数(4×10-6),使该构装1在进行模压或运作的同时,该载体2极易遭受周遭环境温度改变的影响,使得整个晶片构装1产生热胀冷缩的物理现象,然而该晶片3与该载体2的热膨胀系数在相差有四倍的情况下,会有发生类似Bimetal(双金属)挠曲或变形的情形,并进而将其应力导向于该晶片3上,使该晶片3会因所承受的应力过度或受力不均,而有发生挠曲或破裂的情事。

有鉴于上述的种种缺点,本案创作人乃经详思细索,并累积多年从事晶片构装制造及研究开发的经验,终而有本实用新型的产生。

本实用新型的内容

亦即本实用新型的主要目的乃在提供一种可减低应力的晶片构装,是可使该晶片减低所受的应力或使其受力均匀,而减少发生损坏的情形。

缘此,本实用新型所提供一种可减低应力的晶片构装,其主要包含有:一容置体;一载板,是与该容置体黏结,并使该容置体与该载板间形成有一开口向上的容室;一晶片,是黏著于该载板上,并由多数的焊线与该容置体电性连接,且该载板与该晶片的热膨胀系数是相近;一罩体,该罩体是罩设于该容置体上,并封抵住该容室的开口,以避免该容室中的晶片受外力的破坏或杂物污染。

其中该载板是与该晶片同一材质。

其中该载板是为A1loy 42所制成。

其中该容置体座是可为塑胶、强化塑胶、玻璃忏维或陶瓷等材质所制成。

其中该容置体具有一顶面及一底面,而该容室是自顶面向下凹陷而形成,且该容室形成有一底部;该载板是黏结于该底部上。

其中该容置体的顶面上设有多数的焊垫,而由该等焊线与该晶片电性连接。

其中该容置体是为中空的框体,而形成有一内壁面;该载板是以其侧边黏著于该内壁面上,该容置体与该载板间形成供该晶片置设的容室。

其中该容置体具有一顶面及一底面,而该容室是自顶面向下凹陷而形成,且该容室形成有一底部,并该底部与该顶面间设有一通贯的开孔;该载板是黏结于该开孔周缘的底部上。

其中该罩体,是由不透明的塑胶、金属所制成的板件,其具有一通孔,该通孔是对应该晶片的位置,且该通孔中至少封设固定有一镜片。

其中该载板与该底部容置体间的黏结面积,是以可支撑且固定该载板于该容置体上的最小面积,且以不黏结至该载板的侧缘为原则。

附图说明

为使审查委员能更详细了解本实用新型的实际构造及特点,兹列举以下实施例并配合附图详细说明如后,其中:

图1是一种现有晶片构装结构的剖视示意图;

图2是本实用新型第一较佳实施例的剖视图;

图3是本实用新型第二较佳实施例的剖视图;

图4是本实用新型第三较佳实施例的剖视图;

图5是本实用新型第四较佳实施例的剖视图。

具体实施方式

请参阅图2,是本实用新型第一较佳实施例所提供一种可减低应力的晶片构装10,其主要包含有一容置体20、一载板30、一晶片40、多数的焊线50及一罩体60;其中;

该容置体20是可为塑胶、强化塑胶、玻璃纤维或陶瓷……等材质所制成的电路板(Printed Circuit Board,PCB);该容置体20具有一顶面21及一位于该顶面21反侧的底面22,自该顶面21上向下延伸凹陷而形成有一开口向上的容室23,该容室23形成有一底部231,且该底部231上形成有呈预定数量及态样的电路(图中未示);

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