[实用新型]液晶平面显示器放电电路无效

专利信息
申请号: 01232378.0 申请日: 2001-08-30
公开(公告)号: CN2516996Y 公开(公告)日: 2002-10-16
发明(设计)人: 杨汉民 申请(专利权)人: 神达电脑股份有限公司
主分类号: G02F1/133 分类号: G02F1/133
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 韩宏
地址: 中国*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 液晶 平面 显示器 放电 电路
【权利要求书】:

1、一种液晶平面显示器放电电路,其特征在于,包括:

一第一晶体管,该第一晶体管的基极经由一第一电阻连接至一输入电压端(EN_LCD),该第一晶体管的发射极连接至地端,并且该第一晶体管的基极与发射极连接有一第二电阻,该第一晶体管的集电极经由一第三电阻元件连接至一第一电源供应端;

一第二晶体管,该第二晶体管的栅极连接至该第一晶体管的集电极,该第二晶体管的漏极连接一第二电源供应端,该第二晶体管的源极连接至该液晶平面显示器;

一第三晶体管,该第三晶体管的基极经由一第四电阻元件连接至该输入电压端,该第三晶体管的发射极连接至地,该第三晶体管的集电极经由一第五电阻元件连接至该第二晶体管的源极。

2、根据权利要求1所述的液晶平面显示器放电电路,其特征在于该第五电阻值可为100欧姆。

3、根据权利要求1所述的液晶平面显示器放电电路,其特征在于该第三晶体管为NPN双极性晶体管。

4、根据权利要求1所述的液晶平面显示器放电电路,其特征在于该第一晶体管为NPN双极性晶体管。

5、根据权利要求1所述的液晶平面显示器放电电路,其特征在于该第二晶体管为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS FET)。

6、根据权利要求1所述的液晶平面显示器放电电路,其特征在于该第三晶体管为一MOS FET,其中该MOS FET的栅极经由该第四电阻连接到该输入电压端,该MOS FET源极连接至地,该MOSFET的漏极经由该第五电阻连接至该第二晶体管的源极。

8、根据权利要求1所述的液晶平面显示器放电电路,其中该第三晶体管为一MOS FET,其中该MOS FET的栅极经由该第四电阻连接到该输入电压端,该MOS FET源极连接至地,该MOS FET的漏极经由该第五电阻连接至该第二晶体管的源极。

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