[实用新型]半导体双晶白色LED封装结构无效
| 申请号： | 01226864.X | 申请日： | 2001-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN2483837Y | 公开（公告）日： | 2002-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张修恒 | 申请（专利权）人： | 张修恒 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 双晶 白色 led 封装 结构 | ||
1.一种半导体双晶白色LED封装结构，利用二种对白光为互补的光混波产生白光；其特征为：主要包括：
(a)一封装基座，具有至少一正极接脚，及一负极接脚，该负极接脚具有一凹室；
(b)一第一LED晶粒，具有一正极及一负极，并放置于该封装基座的凹室内；
(c)一第二LED晶粒，其发射光波长与第一LED晶粒的发射光波长对白光为互补，具有一正极及一负极，封装于该凹室上方，使该凹室形成一封闭空间；及
(d)复数条金属导线，将该第一LED晶粒及该第二LED晶粒的正极连接至该封装底座的正极接脚上。
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征为：该第一LED晶粒的负极粘接于该负极接脚的凹室。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征为：该第二LED晶粒的负极以金属导线连接至该封装基座的负极接脚。
4.如权利要求1所述的封装结构，其特征为：该第二LED晶粒下方设有一支撑板。
5.如权利要求1所述的封装结构，其特征为：该封装基座具有一正极接脚，使该第一LED晶粒及该第二LED晶粒的正极皆连接至该正极接脚，形成单正单负封装结构。
6.如权利要求1所述的封装结构，其特征为：该封装基座具有二正极接脚，使该第一LED晶粒及该第二LED晶粒的正极分别连接至该二正极接脚，形成双正单负封装结构。
7.如权利要求1所述的封装结构，其特征为：该第二LED晶粒的面积大于该第一LED晶粒的面积。
8.如权利要求1所述的封装结构，其特征为：该第一LED晶粒的面积约为36～400mil2。
9.如权利要求1所述的封装结构，其特征为：该第二LED晶粒的面积约为400～900mil2。
10.如权利要求1所述的封装结构，其特征为：该第一LED晶粒为黄光LED晶粒。
11.如权利要求10所述的封装结构，其特征为：该黄光LED晶粒为InGaAlP磊晶于GaAs或GaP基板上形成的黄光LED晶粒。
12.如权利要求1所述的封装结构，其特征为：该第二LED晶粒为蓝光LED晶粒。
13.如权利要求12所述的封装结构，其特征为：该蓝光LED晶粒为InGaN磊晶在蓝宝石基板上形成的蓝光LED晶粒。
14.如权利要求1所述的封装结构，其特征为：该第一LED晶粒为蓝光LED晶粒。
15.如权利要求14所述的封装结构，其特征为：该蓝光LED晶粒为InGaN磊晶在蓝宝石基板上形成的蓝光LED晶粒。
16.如权利要求1所述的封装结构，其特征为：该第二LED晶粒为黄光LED晶粒。
17.如权利要求16所述的封装结构，其特征为：该黄光LED晶粒为InGaAlP磊晶于GaAs或GaP基板上形成的黄光LED晶粒。
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