[实用新型]蚀刻机台中的晶片推升装置无效
申请号: | 01221412.4 | 申请日: | 2001-04-16 |
公开(公告)号: | CN2480984Y | 公开(公告)日: | 2002-03-06 |
发明(设计)人: | 陈复生 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 台湾省新竹市新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 机台 中的 晶片 装置 | ||
本实用新型涉及一种晶片推升装置,特别是指应用于蚀刻机台的晶片推升装置。
半导体工艺中机台设备零件的变形或损坏关系着晶片制造的产出,若是需要利用相当多时间来更换设备零件的话,则不仅浪费人力,且降低机台生产力。其中晶片推升装置即为一典型例子,晶片推升装置于蚀刻机台内扮演着将晶片推升或下降的角色,用于将晶片推升或下降至一固定高度,以进行后续的蚀刻反应。
为进一步说明晶片推升装置的作用,请参阅图1(a)与(b)的晶片承载流程示意图。如图1(a)所示,当一晶片12借助一机械手(图中未示出)送入一蚀刻机台反应室11内时,机械手是先将所述晶片置放于一晶片推升装置13的数个推升杆(Push Pin)131上。如图1(b)所示,待机械手离开蚀刻机台反应室11后,所述晶片推升装置13则将缓缓下降至一静电夹盘(Electrostatic Chuck,ESC)14表面上,而于下降至所述静电夹盘(Electrostatic Chuck,ESC)过程中,一对准环(FocusRing)15可以确保所述晶片能准确定位于一位置。待所述晶片12已下降至所述静电夹盘(Electrostatic Chuck,ESC)14表面上并准确定位于一位置后,所述静电夹盘14则借助静电力固定住所述晶片12,且一阴极弹簧17将缓缓上升使整个晶片承载机构18上升至一固定高度,以缩短所述蚀刻反应室内的一阴极19与一阳极(未图示)间的间距以进行蚀刻反应。其中,一绝缘环(Insulator Ring)16可于进行蚀刻反应反应过程中避免等离子体10直接损害所述静电夹盘(Electrostatic Chuck,ESC)14。同时,于蚀刻反应进行时,通入抗冻液(Chiller)于一抗冻液循环管路181以冷却所述所述静电夹盘(Electrostatic Chuck,ESC)14的温度,并通入氦(Helium,He)于中心冷却孔(Center Cooling Hole)1821与边缘冷却孔(Edge Cooling Hole)1822以冷却所述晶片12的温度(如图1(b)与图2的晶片承载机构俯视图所示)。
请参阅图3(a),它是一现有的晶片推升装置结构图。所述晶片推升装置具有数个推升杆32,它们固定焊接于一基板31上,且所述基板31具有一或数个螺丝嵌入口33,用以借助螺丝将所述基座固定于一蚀刻机台的一阴极弹簧上。当然,如图3(b)所示,基板并不限定于圆形,也可以为其它任何形状,基板35上也具有数个螺丝嵌入口34。
如同所有消耗性设备零件一样,推升杆常因为蚀刻机台的异常而造成变形或损坏而需予以更换,然而根据现有技术,推升杆是固定焊接于基板上,往往只是因为单根推升杆变形则需要整组更换而提高了维修成本。另外,欲更换现有的晶片推升装置的话,需要先将抗冻液(Chiller)完全排出抗冻液循环管路,然后再将静电夹盘(Electrostatic Chuck,ESC)14拆卸下来,最后才能进行晶片推升装置13的更换,整个过程需要耗费三至五小时,参阅图3则可知更换动作繁琐、浪费人力,且降低机台生产力。
本实用新型的目的在于提供一种用于蚀刻机台的晶片推升装置,它可降低蚀刻机台维修成本、提高蚀刻机台生产力、使更换动作简易以及可减少人力浪费。
为实现上述目的,本实用新型提供一种用于蚀刻机台的晶片推升装置,其特点是,它包括:一基座,它包括有数个螺孔;数个旋入式推升杆,每一旋入式推升杆的一端含有外螺纹以将所述数个旋入式推升杆旋入所述基座的数个螺孔内而固定的;以及数个螺丝嵌入口,用于借助螺丝将所述基座固定于所述蚀刻机台的一阴极弹簧上。
依据上述构想,其中所述蚀刻机台为东京电子有限公司(Tokyo ElectronLimited)制造的蚀刻机台。
依据上述构想,其中所述蚀刻机台为应用材料有限公司(Applied MaterialsInc.)制造的蚀刻机台。
依据上述构想,其中所述基座与所述数个旋入式推升杆(Push Pin)是由不锈钢材料制成。
依据上述构想,其中所述数个螺孔是平均分布于所述基座的边缘处。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司,未经华邦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01221412.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:小口井气压提水装置
- 下一篇:扬声器低频段谐振频率快速测试仪
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造