[实用新型]过电流保护装置无效
申请号: | 01204205.6 | 申请日: | 2001-02-16 |
公开(公告)号: | CN2475211Y | 公开(公告)日: | 2002-01-30 |
发明(设计)人: | 陈文祺 | 申请(专利权)人: | 亚力电机股份有限公司 |
主分类号: | H02H7/122 | 分类号: | H02H7/122 |
代理公司: | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流 保护装置 | ||
本实用新型是一种过电流保护装置,特别是指一种可针对直流升压电路的开关组件(金氧半导体场效应晶体管)作保护的装置。
一般直流升压电路是通过两组推挽式脉宽调变(pulse widthmodulation,简称PWM)电路分别推动金氧半导体场效应晶体管(metal-oxide semiconductor field-effect transistor,简称MOSFET),并经变压器将电池电压转换成直流高压而成。
其在变压器输出端短路或瞬间负载时,即会造成流过金氧半导体场效应晶体管电流过大,因此,过电流保护装置因应而生,当该变压器输出端发生短路或过负载的情况时,即切断金氧半导体场效应晶体管的推动信号,进而保护该金氧半导体场效应晶体管受瞬间过载、短路、防止误动现象的破坏,如中国台湾公告号122924号即是,它是由分压电路、参考电压电路、延迟电路、过电流指示电路、三与门、推动电路、比较器(OP-OP3)、金氧半导体场效应晶体管连接组成,通过其电路设计达到保护该金氧半导体场效应晶体管;
但是该过电流保护装置的零组件在电路设计上仍然过于复杂,且成本较高,同时,它不是通过自身脉宽调变电路达到此功效。
于是,本实用新型设计人特潜心的研究并配合理论的运用,设计出不同上述电路设计的过电流保护装置,精简电路,且可大幅度降低成本。
本实用新型的目的,在于提供一个可针对直流升压电路的开关组件作保护的装置,它是在直流升压电路的各脉宽调变控制器的禁闭接脚端、脉宽调变信号输出接脚端与各开关组件的泄极间连接一比较电路,当流过开关元件的电流过大时,该比较电路即呈高阻抗状态,此时,推动各开关组件的脉宽调变信号回至脉宽调变控制器的禁闭接脚端,以抑止该脉宽调信号,达到保护开关组件的功效。
为达到上述目的,本实用新型采用如下技术方案:一种过电流保护装置,其包括:
一直流升压电路,其设有多组脉宽调变控制器,各脉宽调变控制器具有一禁闭接脚端及两脉宽调变信号输出接脚端,该脉宽调变控制器的两脉宽调变信号输出接脚分别与开关组件的闸极相连接,各开关组件的泄极与变压器的初级端连接,各变压器的次级端与整流器连接,该直流升压电路由脉宽调变控制器推动开关组件工作,并经变压器、整流器将电池电压转换整流成直流高压;及
多组比较电路,分别连接至脉宽调变控制器的禁闭接脚端、脉宽调变信号输出接脚端与开关组件的泄极间,各比较电路在流过开关组件的电流过大时,即呈高阻抗状态,此时,推动各开关组件的脉波信号回至脉宽调变控制器的禁闭接脚端,以抑止该脉波信号,达到保护开关组件。
为了使贵审查员能更进一步了解本实用新型的特征及技术内容,请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图,然而所附图仅供参考与说明用,并非用来对本实用新型加以限制。
图面说明:图1是本实用新型的电路方块图;图2及图3是本实用新型的电路图;图4是开关组件12正常工作时形成的回路。附图标记说明:1 直流升压电路
11 脉宽调变控制器
12 开关组件
13 变压器
14 桥式整流器2 比较电路
U16D 运算放大器
R189 电阻
R184-R187 偏压电阻
D48、D57 二极管
ZD15 齐纳二极管
C111、C112电容
请参阅图1至图3,本实用新型是一种过电流保护装置,是针对直流升压电路的开关组件作保护,包括一直流升压电路及四组比较电路。下面以一组比较电路A作说明。
该直流升压电路1中设有2组脉宽调变(PWM)控制器11,各脉宽调变控制器11具有一禁闭接脚端(SHUT-D)及两脉宽调变信号输出接脚端(OUT-A、OUT-B),该脉宽调变控制器11的两脉宽调变信号输出接脚端(OUT-A、OUT-B)分别与两开关组件12的闸极(G)相连接,各开关组件12的源极(S)接地,各开关组件12的泄极(D)与变压器13的初级端连接,各变压器13的次级端与桥式整流器14相连接。
该直流升压电路1由脉宽调变控制器11推动开关组件12工作,并经变压器13、桥式整流器14将电池电压转换整流成直流高压。
该脉宽调变控制器11由控制IC U17、电阻R188、R139、R140、R161、电容C90、C91、C92、C110、C101等组件连接组成。
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