[发明专利]具有存储器接口的CMOS传感器阵列有效
| 申请号: | 01144444.4 | 申请日: | 2001-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN1363957A | 公开(公告)日: | 2002-08-14 |
| 发明(设计)人: | O·O·埃韦德米;邓中韩;R·J·莫塔;杨晓东 | 申请(专利权)人: | 匹克希姆公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335;H04N5/225;H04N3/15;G06K1/20 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 沙捷 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 存储器 接口 cmos 传感器 阵列 | ||
1.一种图像传感器,包括:
传感器阵列,包括一个二维像素单元阵列,它输出数字信号作为表示一个景物图像的像素数据;
数据存储器,与所述传感器阵列耦合并与所述传感器阵列在同一个集成芯片上制造,所述数据存储器用于存储所述数字像素数据;以及
逻辑电路,与所述数据存储器耦合并与所述数据存储器在所述同一个集成芯片上制造,所述逻辑电路提供一个存储器接口以用于输出所述像素数据。
2.如权利要求1的图像传感器,其中所述存储器接口是SRAM接口。
3.如权利要求1的图像传感器,其中所述存储器接口是DRAM接口。
4.如权利要求1的图像传感器,其中所述存储器接口是包协议同步DRAM接口。
5.一种图像传感器,包括:
像素阵列,包括一个二维像素单元阵列,它输出模拟信号作为表示一个景物图像的像素数据;
与所述像素阵列耦合的模-数转换器,用于把所述模拟信号转换为数字像素数据;
数据存储器,与所述模-数转换器耦合并与所述像素阵列和所述模-数转换器在同一个集成芯片上制造,所述数据存储器用于存储所述像素数据;以及
逻辑电路,与所述数据存储器耦合并与所述数据存储器在所述同一个集成芯片上制造,所述逻辑电路提供一个存储器接口以用于输出所述像素数据。
6.如权利要求5的图像传感器,其中所述存储器接口是SRAM接口。
7.如权利要求5的图像传感器,其中所述存储器接口是DRAM接口。
8.如权利要求5的图像传感器,其中所述存储器接口是包协议同步DRAM接口。
9.一种图像传感器,包括:
像素阵列,包括一个二维像素单元阵列,它输出模拟信号作为表示一个景物图像的像素数据;
数据存储器,与所述像素阵列耦合并与所述像素阵列在同一个集成芯片上制造,所述数据存储器用于存储所述像素数据;以及
逻辑电路,与所述数据存储器耦合并与所述数据存储器在所述同一个集成芯片上制造,所述逻辑电路提供一个存储器接口以用于输出所述像素数据。
10.如权利要求9的图像传感器,其中所述存储器接口是SRAM接口。
11.如权利要求9的图像传感器,其中所述存储器接口是DRAM接口。
12.如权利要求9的图像传感器,其中所述存储器接口是包协议同步DRAM接口。
13.一种图像传感器,包括:
传感器阵列,包括一个二维像素单元阵列,它输出数字信号作为表示一个景物图像的像素数据;以及
双端口数据存储器,所述双端口数据存储器的第一端口与所述传感器阵列耦合以用于存储所述像素数据,而且所述双端口数据存储器的第二端口提供一个存储器接口以用于输出所述像素数据,所述双端口数据存储器与所述传感器阵列在同一个集成芯片上制造。
14.一种成像系统,包括:
图像传感器,包括:
传感器阵列,包括一个二维像素单元阵列,它输出数字信号
作为表示一个景物图像的像素数据;
数据存储器,与所述传感器阵列耦合并与所述传感器阵列在
同一个集成芯片上制造,所述数据存储器用于存储所述像素数据;
逻辑电路,与所述数据存储器耦合并与所述数据存储器在所
述同一个集成芯片上制造,所述逻辑电路提供一个存储器接口以
用于输出所述像素数据;以及
图像处理设备,其包括一个存储器接口端口;
其中所述图像传感器与所述图像处理设备的所述存储器接口端口耦合,并且所述图像处理设备通过使用存储器接口协议来存取所述图像传感器中的像素数据。
15.如权利要求14的图像传感器,其中所述图像传感器的所述存储器接口是SRAM接口。
16.如权利要求14的图像传感器,其中所述图像传感器的所述存储器接口是DRAM接口。
17.如权利要求14的图像传感器,其中所述图像传感器的所述存储器接口是包协议同步DRAM接口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





