[发明专利]玻璃陶瓷的基体玻璃的陶瓷化方法和装置无效
| 申请号: | 01143585.2 | 申请日: | 2001-12-13 |
| 公开(公告)号: | CN1358681A | 公开(公告)日: | 2002-07-17 |
| 发明(设计)人: | 格哈德·哈恩;安德烈亚斯·兰斯多夫;乌尔里克·福瑟林厄姆;豪克·埃塞曼;伯恩德·霍普;西比尔·纳特根斯 | 申请(专利权)人: | 舱壁玻璃公司 |
| 主分类号: | C03B32/02 | 分类号: | C03B32/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 王景刚,李瑞海 |
| 地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 玻璃 陶瓷 基体 方法 装置 | ||
1.一种用于陶瓷化玻璃陶瓷的基体玻璃(3)(所谓的玻璃坯)的方法:
1.1制造玻璃坯(3);
1.2通过供给悬浮气体将玻璃坯(3)以悬浮状态置放在悬浮基底(1.2)上;
1.3在悬浮状态下用IR辐射(B)加热玻璃坯(3),直至所需的陶瓷化到来为止。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在加热前,将玻璃坯(3)预热至低于粘接温度的温度。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,玻璃坯在悬浮基底(1.2)上方被移开。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,玻璃坯(3)是带状的。
5.一种用于陶瓷化玻璃陶瓷的基体玻璃(所谓的玻璃坯)的装置,包括:
5.1一悬浮基底(1.2),用于承载玻璃坯(3)并用于供给悬浮气体;
5.2 IR辐射装置(B),用于加热玻璃坯(3)直至达到所需的陶瓷化为止。
6.如权利要求5所述的装置,其特征在于,用于将玻璃坯(3)加热至低于粘着温度的装置设置在IR辐射装置(B)的上游。
7.如权利要求5或6所述的装置,其特征在于以下的特征:
7.1红外辐射装置(B)包括带有具有优选地为2000K、2400、2700、3000K色温的短波卤IR射线的辐射腔;
7.2辐射腔的壁具有超过80%特别是超过90%的反射率。
8.如权利要求7所述的装置,其特征在于,悬浮基底(1.2)是同样强反射的,具有超过80%优选地超过90%的反射率。
9.如权利要求5至8中任何一项所述的装置,其特征在于以下的特征:
9.1设置有一长形腔室,该腔室容放悬浮基底(1.2)、玻璃坯(3)和IR辐射装置(B);
9.2腔室在其前侧具有一入口而在其另一前侧具有一允许玻璃坯(3)通过的出口。
10.如权利要求5至9中任何一项所述的装置,其特征在于,悬浮基底(1.2)包括隔膜材料,该隔膜材料由Al2O3、BaF2、BaTiO3、CaF2、CaTiO3、MgO、3.5Al2O3、SrF2、SiO2、SrTiO3、TiO2、尖晶石、堇青石、堇青石烧结玻璃陶瓷的多孔材料制成。
11.如权利要求10所述的装置,其特征在于,IR自反射或涂覆有IR反射材料的多孔材料被用作隔膜材料。
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