[发明专利]III－V氮化物半导体激光器件无效
| 申请号： | 01141826.5 | 申请日： | 2001-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1347178A | 公开（公告）日： | 2002-05-01 |
| 发明（设计）人： | 园部雅之;木村义则;渡边温 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司;先锋株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体激光器 | ||
【权利要求书】：
1.一种III-V氮化物半导体激光器件，包括：
n侧AlGaN包覆层；
n侧波导层；
激活层；
p侧波导层；和
p侧AlGaN包覆层，
其中，p侧波导层的折射率比所述n侧波导层的折射率更大。
2.根据权利要求1所述的III-V氮化物半导体激光器件，其中，所述的p侧波导层由InyGa1-yN(0＜y≤1)形成。
3.根据权利要求2所述的III-V氮化物半导体激光器件，其中，所述的p侧波导层的厚度为0.05μm或更大。
4.根据权利要求2所述的III-V氮化物半导体激光器件，其中，所述的p侧波导层由InyGa1-yN形成，y是0.005或更大。
5.根据权利要求2所述的III-V氮化物半导体激光器件，其中，所述的n侧波导层由GaN形成。
6.根据权利要求5所述的III-V氮化物半导体激光器件，进一步包括：在所述n侧波导层和所述激活层之间的InGaN中间层。
7.根据权利要求6所述的III-V氮化物半导体激光器件，其中，所述中间层的厚度为500埃或更小。
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