[发明专利]高速、高灵敏度的谐振腔增强型光电探测器的实现方法有效
| 申请号： | 01139734.9 | 申请日： | 2001-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1348271A | 公开（公告）日： | 2002-05-08 |
| 发明（设计）人： | 任晓敏;黄辉;黄永清;王琦 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | H04B10/12 | 分类号： | H04B10/12;H04B10/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱黎光,张占榜 |
| 地址： | 100876 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高速 灵敏度 谐振腔 增强 光电 探测器 实现 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种高速、高灵敏度的谐振腔增强型光电探测器的实现方法，在半导体衬底上，外延生长顶镜、电极层、本征隔离层、本征吸收层，其特征在于：电极层采用离子注入使得器件部分电极绝缘，降低探测器的固有电容。
2、根据权利要求1所述的实现方法，其特征在于衬底为InP基，在衬底上实现入光台面，采用衬底入光的方式。
3、根据权利要求1所述的实现方法，其特征在于底镜由蒸镀的高反射率的介质膜材料的分布布拉格反射镜(DBR)构成。
4、根据权利要求1所述的实现方法，其特征在于衬底为GaAs基或Si基。
5、根据权利要求1所述的实现方法，其特征在于离子注入后的电极层呈现梳状或网孔状的微结构。
6、根据权利要求1和5所述的实现方法，其特征在于离子注入使得电极电容减小的方法适用于pin型的半导体器件。
7、根据权利要求1所述的实现方法，其特征在于离子注入用的掩膜材料为有机聚合物、金属或半导体材料。
8、根据权利要求1和7所述的实现方法，其特征在于离子注入时，掩膜是覆盖在半导体电极层表面上也可以悬浮于半导体电极层表面。
9、根据权利要求3所述的实现方法，其特征在于介质膜反射底镜采用包括蒸发、溅射或涂敷方法形成。
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