[发明专利]金属栅极形成方法

权利要求书

1.一种形成锒嵌金属栅极的方法，包括以下步骤：

在一晶片上形成用于伪栅极的一伪栅极绝缘膜和一多晶硅膜；

在该晶片上形成一夹层绝缘膜；

抛光该夹层绝缘膜，以便露出该伪多晶硅膜的上表面；和

应用旋转蚀刻工序，对露出的伪多晶硅膜进行湿蚀刻。

2.根据权利要求1所述的形成锒嵌金属栅极的方法，其特征在于：

湿蚀刻伪多晶硅膜的步骤包括在旋转晶片的同时将一蚀刻溶液供给到该晶片的上表面的步骤。

3.根据权利要求2所述的形成锒嵌金属栅极的方法，其特征在于：

以500至2000rpm的速度旋转该晶片。

4.根据权利要求2所述的形成锒嵌金属栅极的方法，其特征在于：

该蚀刻溶液包括HF和HNO₃。

5.根据权利要求4所述的形成锒嵌金属栅极的方法，其特征在于：

该蚀刻溶液的于HF∶HNO₃为1∶10至1∶50。

6.根据权利要求5所述的形成锒嵌金属栅极的方法，其特征在于：

该蚀刻溶液的温度为20至100℃。

7.一种选择蚀刻半导体晶片的方法，包括以下步骤：

在一半导体衬底的上表面上形成一第一材料膜；

选择地去除部分第一材料，以便形成一第一图形，该第一图形包括一开口；

在第一图形上形成一第二材料膜，该第二材料填充该开口；

去除第二材料的上部，以便露出第一材料的上表面，在该开口中形成第二材料的栓塞；

旋转蚀刻半导体晶片，以便从开口上去除至少第二材料的部分栓塞，形成一沟槽，其中，在旋转该半导体晶片的同时，将一液体蚀刻胶供给到一上表面上。

8.根据权利要求7所述的选择蚀刻半导体晶片的方法，其特征在于：

在旋转蚀刻步骤中，该液体蚀刻胶在该第一材料和该第二材料之间产生至少10∶1的蚀刻选择性。

9.根据权利要求8所述的选择蚀刻半导体晶片的方法，其特征在于：

在旋转蚀刻步骤中，该液体蚀刻胶在该第一材料和该第二材料之间呈现至少15∶1的蚀刻选择性。

10.根据权利要求7所述的选择蚀刻半导体晶片的方法，其特征在于：

在旋转蚀刻步骤中，液体蚀刻胶以不同的径向位置供给到晶片的表面上。

11.根据权利要求7所述的选择蚀刻半导体晶片的方法，其特征在于：

在旋转蚀刻步骤中，提供给晶片表面上的液体蚀刻胶至少包括在旋转晶片的同时顺序地把第一蚀刻溶液和第二蚀刻溶液供给到晶片表面上。

12.根据权利要求11所述的选择蚀刻半导体晶片的方法，其特征在于：

在旋转蚀刻步骤中，以500至2000rpm的速度旋转该晶片。

13.根据权利要求7所述的选择蚀刻半导体晶片的方法，其特征在于：

该第一材料是绝缘体，该第二材料是半导体。

14.根据权利要求7所述的选择蚀刻半导体晶片的方法，其特征在于：

该第一材料是氧化物，该第二材料是多晶硅。

15.根据权利要求7所述的选择蚀刻半导体晶片的方法，其特征在于：

在旋转蚀刻步骤中，使晶片的旋转速度大到能充分机械地搅动位于沟槽内的部分液体蚀刻胶。

16.根据权利要求7所述的选择蚀刻半导体晶片的方法，其特征在于：

在旋转蚀刻步骤中，使晶片的旋转速度大到能充分使部分液体蚀刻胶供给到晶片表面上，以排出位于沟槽内的先前供给的部分液体蚀刻胶。