[发明专利]用于对金属熔体过滤并添加晶粒细化剂的装置有效
| 申请号: | 01137864.6 | 申请日: | 2001-11-09 | 
| 公开(公告)号: | CN1357640A | 公开(公告)日: | 2002-07-10 | 
| 发明(设计)人: | 沃尔夫冈·施耐德勒;汉斯-彼得·克鲁格;尼克·陶塞 | 申请(专利权)人: | VAW铝业股份公司 | 
| 主分类号: | C22B9/00 | 分类号: | C22B9/00 | 
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 郑修哲 | 
| 地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 金属 过滤 添加 晶粒 细化 装置 | ||
1、用于对金属熔体过滤并添加晶粒细化材料的装置,它具有一个第一过滤器(10)和一个用于晶粒细化材料的给料器,其中,第一过滤器是有多孔性过滤介质,其特征在于,用于晶粒细化材料的给料器设置在流动方向并位于第一过滤器(10)之后,同时一个第二过滤器(16)设置在流动方向并位于用于晶粒细化材料的给料器之后。
2、如权利要求1所述的装置。其特征在于,所述第一过滤器(10)是以滤饼过滤为基础制造的过滤器。
3、如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述第一过滤器(10)具有一个陶瓷泡沫板(11)。
4、如权利要求3所述的装置,其特征在于,陶瓷泡沫板(11)具有5~30mm、优选地为10~15mm的厚度。
5、如权利要求2到4中之一所述的装置,其特征在于,所述第一过滤器(10)具有至少一个由烧结材料构成的部件。
6、如权利要求2到5中之一所述的装置,其特征在于,所述第一过滤器(10)具有至少一个用CVD沉积材料制成的部件。
7、如权利要求1到6中之一所述的装置,其特征在于,第二过滤器(16)具有一个多孔性过滤介质。
8、如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述第二过滤器(16)具有一个厚层材料过滤器。
9、如权利要求8所述的装置,其特征在于,所述厚层材料过滤器为一个松散填充层过滤器。
10、如权利要求1到9中之一所述的装置,其特征在于,第一过滤器(10)和/或第二过滤器(16)可以被加热。
11、一种对金属熔体过滤并添加晶粒细化材料的方法,其中,所述熔体利用具有多孔性介质的第一过滤器进行过滤,同时向熔体中添加晶粒细化材料,这种方法特别是利用如权利要求1-10中之一所述的装置来实现,所述方法的特征为,晶粒细化材料在第一过滤器之后加入到熔体,在用于晶粒细化材料的给料器之后利用一个第二过滤器沿流动方向将熔体过滤。
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