[发明专利]曝光方法无效
| 申请号: | 01137027.0 | 申请日: | 2001-10-19 |
| 公开(公告)号: | CN1350205A | 公开(公告)日: | 2002-05-22 |
| 发明(设计)人: | 竹内幸一 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
| 主分类号: | G03F7/039 | 分类号: | G03F7/039;G03F7/20;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杜日新 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 曝光 方法 | ||
1.一种图形形成方法,包括以下步骤:
衬底上形成含有光酸发生剂的第1光刻胶图形;
光辐射第1光刻胶图形的曝光表面;
光辐射后,衬底上涂敷覆盖第1光刻胶图形的含有能与酸反应的交联剂的光刻胶膜;
在第1光刻胶图形与光刻胶层之间的界面处引起交联反应,生长交联层;和
形成交联层和第1光刻胶图形构成的第2光刻胶图形。
2.按权利要求1的图形形成方法,其中,光是选自ArF准分子激光和KrF准分子激光的光之一。
3.按权利要求1的图形形成方法,其中,形成第1光刻胶图形的含有光酸发生剂的基础树脂是选自甲基丙烯酸树脂和环烯基树脂中的一种树脂。
4.按权利要求1的图形形成方法,其中,含有能与酸反应的交联剂的光刻胶膜的基础树脂是选自聚乙烯醇系树脂,聚丙烯酸系树脂和聚乙烯醇缩醛系树脂的一种树脂。
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