[发明专利]有源矩阵型液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及能够降低串扰(cross talk)的有源矩阵型液晶显示装置。

背景技术

图3表示现有的一有源矩阵型液晶显示装置的示例的局部透过平面图。该液晶显示装置包括玻璃基板1。在玻璃基板1的上表面侧矩阵状地设置扫描信号线2和数据信号线3，在其各交点附近设置薄膜晶体管4和像素电极5，在像素电极5的上边部下与扫描信号线2平行地设置辅助电容线6。

像素电极5按三角形排列。即，构成一个像素的R(红)、G(绿)、B(蓝)的三个像素电极5被配置在二等边三角形(希腊字母Δ)的各顶点对应的位置。因此，扫描信号线2在上下的像素电极5间沿行方向直线状地延伸设置，数据信号线3在左右的像素电极5间和上下的像素电极5间沿列方向弯曲设置。

下面，参照作为沿图3的Y-Y线的剖面图的图4来说明该液晶显示装置的具体构造。在玻璃基板1的上表面的规定处设置包含栅电极11的扫描信号线2，在另一规定处设置辅助电容线2，在其整个上表面设置氮化硅构成的栅绝缘膜12。在栅电极11上的栅绝缘膜12的上面的规定处设置本征非晶硅构成的半导体膜13。在半导体膜13上表面的规定处设置氮化硅构成的沟道保护膜14。在沟道保护膜14的上表面两侧和其两侧的半导体膜13的上表面上设置n型非晶硅构成的欧姆接触层15、16。

在一个欧姆接触层15的上表面和栅绝缘膜12的上表面的规定处设置包含漏电极17的数据信号线3。该情况下，数据信号线3为本征非晶硅膜3a、n型非晶硅膜3b、金属膜3c的三层构造。本征非晶硅膜3a在形成半导体膜13时由与半导体膜13相同的膜一起形成。n型非晶硅膜3b在欧姆接触层15、16形成时由与欧姆接触层15、16相同的膜一起形成。金属膜3c在通过铬等金属形成漏电极17时由与漏电极17相同的膜一起形成。

在另一欧姆接触层16的上表面上设置铬构成的源电极18。这里，通过栅电极11、栅绝缘膜12、半导体膜13、沟道14、欧姆接触层15、16、漏电极17和源电极18来构成薄膜晶体管3。包含薄膜晶体管3等的栅绝缘膜12的整个上表面上设置树脂构成的平坦化膜(层间绝缘膜)19。在平坦化膜19的上表面的规定处设置ITO构成的像素电极5。像素电极5通过平坦化膜19上设置的接触孔20连接到源电极18。

可是，在上述现有的液晶显示装置中，通过旋转涂敷法等来形成树脂构成的平坦化膜19，由于其膜厚为几μm左右比较厚，所以即使将像素电极5和数据信号线3重合，在像素电极5和数据信号线3之间也不发生短路。因此，使数据信号线3内沿列方向延伸的部分宽度比沿行方向延伸的部分的宽度稍宽，将沿该宽度的列方向延伸的数据信号线3的宽度方向两端部与左右方向相邻的像素电极5的相邻连接的边部重合。然后，使沿列方向延伸的数据信号线3具有遮光膜的功能，由此来提高开口率。作为一例，如果左右方向相邻的像素电极5的间隔G为在其间不产生短路的最小间隔为4μm、像素电极5和数据信号线3的重合宽度L在设计上为2μm以便在考虑对准精度的情况下也可重合，那么数据信号线3的最小宽度W为8μm。

在上述现有的液晶显示装置中，使沿列方向延伸的数据信号线3的宽度方向两端部与左右方向相邻的像素电极5的相邻边部重合，对沿列方向延伸的数据信号3具有作为遮光膜的功能。但是，为了高精细像素等而减小一个像素电极5的面积时，可观察到垂直串扰。即，如果使像素电极5与数据信号线3重合，则其之间的寄生电容Cds增加，该寄生电容Cds的增加成为产生垂直串扰的主要原因。寄生电容Cds和一个像素电极5的所有存储电容Cp之比β已知为

β＝Cds/Cp＝Cds/(Cds+Clc+Cs+Cgs){其中，Clc是一个像素电极5和对置电极(未图示)之间的液晶的电容，Cs是像素电极5和辅助电容线6之间的存储电容(以下称为辅助电容)，Cgs是像素电极5和扫描信号线2之间的寄生电容}，使该β的值越小，确实越可防止发生垂直串扰。但是，液晶显示装置有逐渐高精细化的倾向，由于伴随着这种趋势使像素电极的面积缩小，Clc变小，所以垂直串扰更加明显。

发明的内容

本发明的目的在于提供一种液晶显示装置，其可减小像素电极和数据信号线之间的寄生电容Cds，使串扰不明显。

为达到上述目的本发明采取以下技术方案：

一种有源矩阵型液晶显示装置，其包括：基板1；在基板1上