[发明专利]在磁阻存储器中加速老化的电路装置和方法有效
| 申请号： | 01132512.7 | 申请日： | 2001-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1345068A | 公开（公告）日： | 2002-04-17 |
| 发明（设计）人： | H·赫尼施米德 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02;G11C5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁阻 存储器 加速 老化 电路 装置 方法 | ||
1.在具有存储单元区的MRAM中加速老化的电路装置，在所述的存储单元区中，在两种控制线(WL，BL)的交叉点处布置有许多具有软磁层(WM)和硬磁层(HM)的存储单元(Z)，且总是可以通过所述第一控制单元(1，2)向所述的两种控制线馈入控制信号，
其特征在于：
还装设一个第二控制单元(T5，T6)并联在所述第一控制单元(1，2)上，利用该第二控制单元向所属的控制线(WL)馈入一个比经所述第一控制单元(1，2)所馈入的电流要更大的电流。
2.如权利要求1所述的电路装置，
其特征在于：所述第二控制单元(T5，T6)被连接至较靠近于所述软磁层(WM)的控制线(WL)上。
3.如权利要求1或2所述的电路装置，
其特征在于：所述第二控制单元具有一种驱动晶体管(T5，T6)。
4.如权利要求1～3之一所述的电路装置，
其特征在于：所述第一控制单元由通过两个驱动晶体管(T1，T2；T3，T4)构成的串联电路组成。
5.如权利要求3或4所述的电路装置，
其特征在于：所述第二控制单元的驱动晶体管(T5，T6)并联在所述第一控制单元的一个驱动晶体管(T1或T4)上。
6.如权利要求5所述的电路装置，
其特征在于：所述分别相互并联的驱动晶体管(T1和T5；T4和T6)总是具有相同的沟道导通型。
7.在具有存储单元区的MRAM中加速老化的方法，在所述存储单元区中，在两种控制线(WL，BL)的交叉处布置有许多具有软磁层(WM)和硬磁层(HM)的存储单元(Z)，且总是可以通过第一控制单元(1，2)向所述的两种控制线馈入控制信号，
其特征在于：
向较靠近于所述软磁层(WM)的控制线(BL)馈入一个比正常读/写时更高的电流。
8.如权利要求7所述的方法，
其特征在于：关断较靠近于所述硬磁层(HM)的另一控制线(BL)。
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