[发明专利]陶瓷催化剂体及陶瓷载体无效
| 申请号: | 01131364.1 | 申请日: | 2001-09-28 |
| 公开(公告)号: | CN1346694A | 公开(公告)日: | 2002-05-01 |
| 发明(设计)人: | 近藤寿治;田中政一;中西友彦;小池和彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
| 主分类号: | B01J21/16 | 分类号: | B01J21/16;B01J32/00 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 过晓东 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 陶瓷 催化剂 载体 | ||
1、一种陶瓷催化剂体,包括一种能够将催化剂直接担载在陶瓷基质表面上的陶瓷载体和由该陶瓷载体担载的催化剂组分,其中,在气流最大的载体的中间部分,其单位体积所担载的催化剂数量调节为周边部分的1.1倍或更大。
2、一种陶瓷催化剂体,包括一种能够将催化剂直接担载在陶瓷基质表面上的陶瓷载体,其中,在气速最高的载体的中间部分,其单位体积的表面积是周边部分的1.1倍或更大。
3、按照权利要求2所述的陶瓷载体,其中,所述载体是整体式的,载体的中间部分具有较高的通道密度,或者其通道的形状是多边形或圆形;载体的周边部分具有较低的通道密度,或者其通道形状是矩形、六边形或三角形。
4、按照权利要求1所述的陶瓷催化剂体,其中,进气管在所述陶瓷载体上的投射面积以S代表,载体中间部分的横截面积是该投射面积S的1.1~2倍。
5、一种陶瓷催化剂体,包括一种能够将催化剂直接担载在陶瓷基质表面上的陶瓷载体和由该陶瓷载体担载的催化剂组分,其中,催化剂总量的50wt%或者以上集中在所述载体的上游端到其全长的1/4~1/3处。
6、一种陶瓷催化剂体,包括一种能够将催化剂直接担载在陶瓷基质表面上的陶瓷载体和由该陶瓷载体担载的催化剂组分,其中,热稳定性高的催化剂置于在入口气体的上游,而热稳定性低的催化剂置于其下游。
7、按照权利要求6所述的陶瓷载体,其中,所述的热稳定性高的催化剂是入口温度不超过300℃时净化率为50%的催化剂,而所述的热稳定性低的催化剂是入口温度不低于350℃时净化率为50%的催化剂。
8、按照权利要求1所述的陶瓷催化剂体,其中,所述陶瓷载体的横截面积大于联结到该陶瓷载体上的进气管的横截面积。
9、一种陶瓷催化剂体,包括一种能够将催化剂直接担载在陶瓷基质表面上的陶瓷载体和由该陶瓷载体担载的催化剂组分,其中,所述催化剂包括这样形状的粒子,即它比相同质量的球形或半球形粒子具有更大的表面积。
10、按照权利要求9所述的陶瓷催化剂体,其中,所述的催化剂粒子至少是如下形状粒子的一种:多面体形、锥形或截锥形、基本上球形但表面不规则或有凸起、针形和中空形。
11、一种陶瓷催化剂体,包括一种能够将催化剂直接担载在陶瓷基质表面上的陶瓷载体和由该陶瓷载体所担载的催化剂组分,其中,所述的催化剂按高催化活性的晶面取向。
12、按照权利要求9所述的陶瓷催化剂体,其中,所述的催化剂是通过用催化剂溶液浸渍所述陶瓷载体并进行烧结而担载到孔中的。
13、按照权利要求1所述的陶瓷催化剂体,其中,所述陶瓷基质中一种或多种组成元素被组成元素以外的元素所取代;所述的陶瓷载体能够通过化学结合,将催化剂组分直接担载在所述取代元素上。
14、按照权利要求13所述的陶瓷催化剂体,其中,所述的催化剂组分通过化学结合直接担载在所述取代元素上。
15、按照权利要求13所述的陶瓷催化剂体,其中,所述的取代元素是电子轨道中具有d或f轨道的一种或多种元素。
16、按照权利要求1所述的陶瓷催化剂体,其中,所述的陶瓷催化剂具有大量的孔,这些孔能够直接将所述催化剂担载在所述陶瓷基质的表面上,使得所述催化剂组分可以直接担载在孔内。
17、按照权利要求16所述的陶瓷催化剂体,其中,所述的孔至少是选自如下的一种:陶瓷结晶缺陷、陶瓷表面微观裂纹和组成陶瓷的元素的空位。
18、按照权利要求17所述的陶瓷催化剂体,其中,所述的微观裂纹的宽度是100nm或更小。
19、按照权利要求17所述的陶瓷催化剂体,其中,所述孔的直径或宽度是所担载的催化剂离子直径的1000倍或更小,所述孔的密度是1×1011/L或更高。
20、按照权利要求17所述的陶瓷催化剂体,其中,所述的陶瓷基质含有堇青石作为主要成分,所述的孔是采用不同化合价的金属取代堇青石中部分组成元素时所形成的缺陷。
21、按照权利要求20所述的陶瓷催化剂体,其中,所述缺陷至少包括氧空位或晶格缺陷中的一种;将堇青石单元晶格中至少包含一种缺陷的堇青石结晶的密度调节为4×10-6%或更高。
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