[发明专利]形成金属－绝缘层－金属电容器的方法

权利要求书

1.一种形成金属-绝缘层-金属电容器的方法，所述方法至少包含下列步骤：

提供一底材，所述底材具有一第一区域与一第二区域；

形成一覆盖所述底材的第一导体层；

形成一覆盖所述第一导体层的第二导体层；

转移数个沟渠图案进入所述第二导体层与所述第一导体层，以形成数个沟渠于所述第一区域与所述第二区域内；

共形生成一覆盖所述第二导体层与所述第一导体层的介电层；

形成一覆盖所述介电层的第三导体层；

形成一覆盖所述第一区域的光阻层；

移除位于所述第二区域上的所述第三导体层以曝露出位于所述第二区域上的所述介电层；

移除位于所述第二区域上的所述介电层以曝露出位于所述第二区域上的所述第二导体层与所述第一导体层；

蚀刻位于所述第二区域内的所述沟渠的底部以曝露出所述底材；及

移除所述光阻层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一导体层至少包含一铝层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一导体层至少包含一铜层。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二导体层至少包含一钛/氮化钛层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二导体层至少包含一钽/氮化钽层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介电材料至少包含一二氧化硅层。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三导体层至少包含一铝层。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三导体层至少包含一铜层。

9.一种形成金属-绝缘层-金属电容器的方法，其特征在于，所述方法至少包含下列步骤：

提供一底材，所述底材具有一第一区域与一第二区域；

形成一覆盖所述底材的第一导体层；

形成一覆盖所述第一导体层的第二导体层；

转移数个沟渠图案进入所述第二导体层与所述第一导体层，以形成数个沟渠于所述第一区域与所述第二区域内；

以一等离子体化学气相沉积法共形生成一覆盖所述第二导体层与所述第一导体层的介电层；

形成一覆盖所述介电层的第三导体层；

形成一覆盖所述第一区域的光阻层；

以一干式蚀刻法移除位于所述第二区域上的所述第三导体层以曝露出位于所述第二区域上的所述介电层；    

移除位于所述第二区域上的所述介电层以曝露出位于所述第二区域上的所述第二导体层与所述第一导体层；

蚀刻位于所述第二区域内的所述沟渠的底部以曝露出所述底材；及

移除所述光阻层。

10.一种形成金属-绝缘层-金属电容器的方法，其特征在于，所述方法至少包含下列步骤：

提供一底材，所述底材具有一第一区域与一第二区域；

形成一覆盖所述底材的第一导体层；

形成一覆盖所述第一导体层的第二导体层；

转移数个沟渠图案进入所述第二导体层与所述第一导体层，以形成数个沟渠于所述第一区域与所述第二区域内；

以一等离子体化学气相沉积法共形生成一覆盖所述第二导体层与所述第一导体层的介电层；

形成一覆盖所述介电层的第三导体层；

形成一覆盖所述第一区域的光阻层；

以一干式蚀刻法移除位于所述第二区域上的所述第三导体层以曝露出位于所述第二区域上的所述介电层；

移除位于所述第二区域上的所述介电层以曝露出位于所述第二区域上的所述第二导体层与所述第一导体层；

以一干式蚀刻法蚀刻位于所述第二区域内的所述沟渠的底部以曝露出所述底材；及

移除所述光阻层。