[发明专利]荧光体薄膜及其制造方法,和EL板

权利要求书

1、一种荧光体薄膜，其中母体材料是在从碱土类硫代镓酸盐和碱土类硫代铟酸盐中至少选出一种化合物中含有氧的氧代硫化物，

进而含有形成发光中心的元素。

2、根据权利要求1的荧光体薄膜，其中上述氧代硫化物中氧元素和硫元素的摩尔比率，以O/(S+O)表示时，O/(S+O)＝0.01～0.85。

3、根据权利要求1的荧光体薄膜，其中以下述细成式表示的

A_xB_yO_zS_w：M

其中，M表示金属元素、A表示从Mg、Ca、Sr、Ba和稀土类元素中至少选出的一种元素，B表示从Ga或In中选出的一种元素，x＝1～5、y＝1～15、z＝3～30、w＝3～30。

4、根据权利要求1的荧光体薄膜，其中上述发光中心是稀土类元素。

5、具有权利要求1荧光体薄膜的EL板。

6、一种荧光体薄膜的制造方法，该方法是形成权利要求1荧光体薄膜的制造方法，其中形成硫化物薄膜后，在氧化环境中进行退火处理。

7、一种荧光体薄膜的制造方法，该方法是利用蒸镀法形成权利要求1荧光体薄膜的制造方法，

其中在真空槽内，至少配置硫化镓、硫化铟中至少一种的蒸发源，和添加发光中心的稀土类硫化物蒸发源，并通入氧气，从这些蒸发源分别蒸发硫化镓、硫化铟中至少一种的化合物和稀土类硫化物原料，向基板上堆积时，各种原料物质和氧气结合，得到薄膜。

8、一种荧光体薄膜的制造方法，该方法是利用蒸镀法形成权利要求1荧光体薄膜的制造方法，

其中在真空槽内，至少配置硫化镓、硫化铟中的至少一种蒸发源、和碱土类金属，或添加发光中心的碱土类硫化物蒸发源，通入硫人氢气体，

从这些蒸发源分别蒸发硫化镓、硫化铟中的至少一种化合物和碱土类硫化物原料或碱土类金属原料，向基板上堆积时，各种原料物质和硫化氢气结合，得到硫化物荧光体薄膜，

随后，在氧化环境气中进行退火处理。