[发明专利]纵向耦合谐振器型的声表面波滤波器有效

专利信息
申请号: 01124310.4 申请日: 2001-06-26
公开(公告)号: CN1338820A 公开(公告)日: 2002-03-06
发明(设计)人: 高峰裕一 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03H9/145 分类号: H03H9/145;H03H9/64
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 沈昭坤
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 纵向 耦合 谐振器 表面波 滤波器
【权利要求书】:

1.一种纵向耦合谐振器型声表面波滤波器,包括有:

一个压电基底;

装在压电基底上,在声表面波的传播方向并分别有多个手指电极的第一、第二和第三IDT;

至少第一、二、三IDT中的一个,其中的IDT含有至少一个在其内部被排列在邻近邻近的IDT一侧的IDT末端的一部分手指电极的间距比该IDT中剩余部分手指电极的间距要短的窄间距手指电极部分;

至少第一、二、三IDT中的一个最少包括一个窄间距手指电极部分,在窄间距手指电极部分中被排列在邻近IDT一侧的IDT末端的一部分手指电极的间距比该IDT中剩余部分手指电极的间距要短。

偏离0.25λA+0.25λB的至少一对相邻手指电极中心间的距离,其中λA表示由一个手指电极的间距决定的波长,λB表示由另一个手指电极的间距决定的波长。

2.如权利要求1所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器,其特征在于:相邻手指电极中心间的距离的偏移值达到0.25λI1。

3.如权利要求1所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器,其特征在于:由邻近的IDT提供的一对相邻手指电极中的一个手指电极的覆盖率相当高,因此一对相邻手指电极间的间隙减小了。

4.如权利要求1所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器,其特征在于:其中由邻近的IDT供的一对相邻手指电极中间的区域是金属喷涂的。

5.如权利要求1所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器,其特征在于:其中的窄间距手指电极部分是线性调频脉冲型手指电极部分;

6.如权利要求5所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器,其特征在于:其中的线性调频脉冲型手指电极部分被设置为其中的手指电极间距在声表面波传播方向上从该IDT的的中心处向外侧呈线性递减。

7.一种纵向耦合谐振器型声表面波滤波器,它包括有多个如权利要求1所述的相互间多级连接的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器构成。

8.一种通讯设备,它包含有如权利要求1所述的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器。

9.一种纵向耦合谐振器型声表面波滤波器,包括有:

一个压电基底;

装在压电基底上,在声表面波的传播方向并分别有多个手指电极的第一、第二和第三IDT;

至少第一、二、三IDT中的一个,其中的IDT含有至少一个在其内部被排列在邻近的IDT一侧的IDT末端的一部分手指电极的间距比该IDT中剩余部分手指电极的间距要短的窄间距手指电极部分;

其中λI2表示由窄间距手指电极部分中的手指电极间距决定的波长,并且λI1表示包括窄间距手指电极部分和除了窄间距手指电极部分以外的其它手指电极部分的IDT中手指电极部分的间距;

邻近的IDT中相邻手指电极中心间的距离,当窄间距手指电极部分位于该邻近的IDT的两侧时,该距离偏离0.5λI2,而当窄间距手指电极部分只位于该邻近的IDT的一侧时,该距离不同于0.25λI1+0.25λI2。

10.如权利要求9所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器,其特征在于:相邻手指电极中心间的距离的偏移值达到0.25λI1。

11.如权利要求9所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器,其特征在于:由邻近的IDT提供的一对相邻手指电极中的一个手指电极的覆盖率相当高,因此一对相邻手指电极间的间隙减小了。

12.如权利要求9所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器,其特征在于:其中由邻近的IDT供的一对相邻手指电极中间的区域是金属喷涂的。

13.如权利要求9所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器,其特征在于:其中的窄间距手指电极部分是线性调频脉冲型手指电极部分;

14.如权利要求13所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器,其特征在于:其中的线性调频脉冲型手指电极部分被设置为其中的手指电极间距在声表面波传播方向上从该IDT的的中心处向外侧呈线性递减。

15.一种纵向耦合谐振器型声表面波滤波器,它包括有多个如权利要求9所述的相互间多级连接的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器构成。

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