[发明专利]防止氮化物内存晶胞被充电的制造方法及其装置

权利要求书

1.一种防止氮化物只读存储器晶胞被充电的制造方法，至少包括：

提供一基材，其中该基材上形成有一氧化硅/氮化硅/氧化硅结构；

形成一栅极覆盖部分的该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构；

形成一间隙壁，其中该间隙壁位于该栅极的两侧，且覆盖另一部分的该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构；

形成一绝缘层覆盖该基材、该栅极、以及该间隙壁；以及

形成一保护层覆盖该绝缘层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：该保护层的材料为氮化硅。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：该保护层的材料为氮氧化硅。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：该栅极包括一多晶硅层与一硅化金属层。

5.一种防止氮化物只读存储器晶胞被充电的装置，至少包括：

一基材，其中该基材上形成有一氧化硅/氮化硅/氧化硅结构；

一栅极位于部分的该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构上；

一间隙壁位于该栅极的两侧，且位于其余的该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构上；

一绝缘层位于该基材、该栅极、以及该间隙壁上；以及

一保护层位于该绝缘层上。

6.根据权利要求5所述防止氮化物只读存储器晶胞被充电的装置，其特征在于：该保护层的材料为氮化硅。

7.根据权利要求5所述防止氮化物只读存储器晶胞被充电的装置，其特征在于：该保护层的材料为氮氧化硅。

8.一种防止氮化物只读存储器晶胞被充电的制造方法，至少包括：

提供一基材，其中该基材上形成有一氧化硅/氮化硅/氧化硅结构；

形成一栅极覆盖部分的该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构；

形成一间隙壁，其中该间隙壁位于该栅极的两侧，且覆盖另一部分的该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构；

形成一绝缘层覆盖该基材、该栅极、以及该间隙壁；

形成一内层介质/内金属介质覆盖该绝缘层；以及

形成多个保护层，其中该保护层位于该内层介质/内金属介质中。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：该保护层的材料为氮化硅。

10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：该保护层的材料为氮氧化硅。

11.一种防止氮化物只读存储器晶胞被充电的装置，至少包括：

一基材，其中该基材上形成有一氧化硅/氮化硅/氧化硅结构；

一栅极位于部分的该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构上；

一间隙壁位于该栅极的两侧，且位于其余的该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构上；

一绝缘层位于该基材、该栅极、以及该间隙壁上；

一内层介质/内金属介质位于该绝缘层上；以及

多个保护层，其中该保护层位于该内层介质/内金属介质中。

12.根据权利要求11所述防止氮化物只读存储器晶胞被充电的装置，其特征在于：该保护层的材料为氮化硅。

13.根据权利要求11所述防止氮化物只读存储器晶胞被充电的装置，其特征在于：该保护层的材料为氮氧化硅。