[发明专利]绝缘陶瓷压块、陶瓷多层基板和陶瓷电子器件无效
| 申请号： | 01122798.2 | 申请日： | 2001-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1334256A | 公开（公告）日： | 2002-02-06 |
| 发明（设计）人： | 森直哉;杉本安隆;近川修 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | C04B35/443 | 分类号： | C04B35/443;C04B35/16;C04B35/20;C04B35/195;C03C3/064;C03C3/089;H01B3/12;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 周承泽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 陶瓷 多层 电子器件 | ||
1.一种绝缘陶瓷压块，包括：
MgAl2O4基陶瓷和硼硅酸盐玻璃的烧制混合物，
该绝缘陶瓷压块包括MgAl2O4晶相与Mg3B2O6晶相和Mg2B2O5晶相中至少一种晶相。
2.如权利要求1所述的绝缘陶瓷压块，其特征在于所述绝缘陶瓷压块还包括Mg2SiO4晶相。
3.如权利要求2所述的绝缘陶瓷压块，其特征在于所述硼硅酸盐玻璃包括8-60％重量的按照B2O3计的氧化硼、10-50％重量的按照SiO2计的二氧化硅和10-55％重量的按照MgO计的氧化镁。
4.如权利要求3所述的绝缘陶瓷压块，其特征在于所述硼硅酸盐玻璃包括20-40％重量的按照B2O3计的氧化硼、13-38％重量的按照SiO2计的二氧化硅和35-53％重量的按照MgO计的氧化镁。
5.如权利要求4所述的绝缘陶瓷压块，其特征在于所述硼硅酸盐玻璃包括20％重量或更少的碱金属氧化物、20％重量或更少的氧化铝、30％重量或更小的氧化锌和10％重量或更少的氧化铜。
6.如权利要求2所述的绝缘陶瓷压块，其特征在于所述MgAl2O4基陶瓷和硼硅酸盐玻璃的比值按重量基准计在20∶80至80∶20范围。
7.如权利要求2所述的绝缘陶瓷压块，其特征在于以Mg2SiO4、Mg3B2O6和Mg2B2O5晶相总量为基准，所述绝缘陶瓷压块，包括5-80％重量的MgAl2O4、以及5-70％重量的Mg3B2O6和Mg2B2O5中的至少一种。
8.如权利要求7所述的绝缘陶瓷压块，其特征在于所述MgAl2O4基陶瓷和硼硅酸盐玻璃的比值按重量基准计在20∶80至80∶20范围，所述硼硅酸盐玻璃包括20-40％重量的按照B2O3计的氧化硼、13-38％重量的按照SiO2计的二氧化硅和35-53％重量的按照MgO计的氧化镁，所述玻璃包括20％重量或更少的碱金属氧化物、20％重量或更少的氧化铝、30％重量或更少的氧化锌、10％重量或更少的氧化铜。
9.如权利要求1所述的绝缘陶瓷压块，其特征在于所述硼硅酸盐玻璃包括8-60％重量的按照B2O3计的氧化硼、10-50％重量的按照SiO2计的二氧化硅和10-55％重量的按照MgO计的氧化镁。
10.如权利要求9所述的绝缘陶瓷压块，其特征在于所述硼硅酸盐玻璃包括20-40％重量的按照B2O3计的氧化硼、13-38％重量的按照SiO2计的二氧化硅和35-53％重量的按照MgO计的氧化镁。
11.如权利要求10所述的绝缘陶瓷压块，其特征在于所述硼硅酸盐玻璃包括20％重量或更少的碱金属氧化物、20％重量或更少的氧化铝、30％重量或更少的氧化锌和10％重量或更少的氧化铜。
12.如权利要求1所述的绝缘陶瓷压块，其特征在于所述MgAl2O4基陶瓷和硼硅酸盐玻璃的比值按重量基准计在20∶80至80∶20范围。
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