[发明专利]利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法无效
| 申请号： | 01120689.6 | 申请日： | 2001-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1399310A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 梁明中;余旭升;李俊鸿;蔡信谊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 化学 蚀刻 形成 圆弧 边角 方法 | ||
1、一种利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法，其特征是：它包括下列步骤：
(1)在一底材上沉积一氮化硅层；
(2)在该氮化硅层表面形成一图案化光阻；
(3)以该图案化光阻为罩幕，进行蚀刻，形成浅渠沟结构；
(4)利用氮化硅对底材的选择比高的化学干蚀刻法，将该氮化硅层向后推，以露出该浅渠沟表面的边角；
(5)利用底材对氮化硅的选择比高的化学干蚀刻法，将该边角圆弧化，以得到圆弧边角。
2、根据权利要求1所述的利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法，其特征是：该底材及氮化硅层之间形成有一层垫氧化层。
3、根据权利要求1所述的利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法，其特征是：蚀刻该浅渠沟所使用的气体为四氟化碳及氧气。
4、根据权利要求1所述的利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法，其特征是：该氮化硅对底材的蚀刻率选择比大于1。
5、根据权利要求1所述的利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法，其特征是：蚀刻该氮化硅层所使用的气体为四氟化碳、氧气及氮气。
6、根据权利要求1所述的利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法，其特征是：该底材对氮化硅的蚀刻率选择比大于1。
7、一种利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法，其特征是：它包括下列步骤：
(1)在一硅底材上沉积一氮化硅层；
(2)在该氮化硅层表面形成一图案化光阻；
(3)以该图案化光阻为罩幕进行蚀刻，以形成图案化氮化硅层；
(4)利用氮化硅对硅的选择比高的化学干蚀刻法，将该图案化氮化硅层向后推，以露出其表面的硅边角；
(5)利用硅对氮化硅的选择比高的化学干蚀刻法，将该硅边角圆弧化，以得到圆弧边角。
8、根据权利要求7所述的利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法，其特征是：在该底材及氮化硅层之间形成有一层垫氧化层。
9、根据权利要求7所述的利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法，其特征是：蚀刻该图案化氮化硅层所使用的气体为四氟化碳及氧气。
10、根据权利要求7所述的利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法，其特征是：该氮化硅对硅的蚀刻率选择比大于1。
11、根据权利要求7所述的利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法，其特征是：蚀刻该氮化硅所使用的气体为四氟化碳、氧气及氮气。
12、根据权利要求7所述的利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法，其特征是：该硅对氮化硅的蚀刻率选择比大于1。
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