[发明专利]氮化硅只读存储器的制造方法

权利要求书

1.一种氮化硅只读存储器的制造方法，其特征为：该方法包括：

提供一基底；

在该基底上形成一捕捉层，该捕捉层由一氧化层、位于该氧化层上的一氮化物层及位于该氮化物层上的一介电层所构成；

在该基底上形成已图案化的一光阻层，其中该光阻层所覆盖的该捕捉层下方的部分该基底区域定义为一信道区，裸露的该捕捉层下方的部分该基底区域定义为一源极/汲极区；

以该光阻层为罩幕，进行一口袋离子植入步骤，将一第一型掺质植入该基底的该源极/汲极区中；

以该光阻层为罩幕，移除部分该捕捉层，以使该捕捉层图案化；

以该光阻层为罩幕，进行一源极/汲极离子植入步骤，将一第二型掺质植入该基底中的该源极/汲极区中；

去除该光阻层；

以该捕捉层为罩幕，进行一热工艺，以使该源极/汲极区的该基底表面形成一埋入式源极/汲极氧化层，同时使该第二型掺质在该埋入式源极/汲极氧化层下方形成一埋入式源极/汲极，该第一型掺质因热扩散而在该埋入式源极/汲极周缘的该信道区边缘形成一口袋型掺杂区；以及

在该基底上形成一导体栅极。

2.如权利要求1所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其特征为：该第一型掺质为P型，该第二型掺质为N型。

3.如权利要求2所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其特征为：该第一型掺质选自于硼离子或BF₂之一。

4.如权利要求2所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其特征为：该口袋离子植入步骤的该第一型掺质为硼离子，且其剂量为5.0×10¹²/cm²～1.0×10¹³/cm²左右，能量为40KeV～60KeV左右。

5.如权利要求2所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其特征为：该第二型掺质选自于砷离子与磷离子所组成的族群之一。

6.如权利要求2所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其特征为：该源极/汲极离子植入步骤的该第二型掺质为砷离子，且其剂量为2.0×10¹⁵/cm²～4.0×10¹⁵/cm²左右，能量为40KeV～60KeV左右。

7.如权利要求1所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其特征为：该热工艺在摄氏750度～900度之间施行。

8.一种存储元件的口袋型掺杂区的形成方法，其特征为：包括：

提供一基底，该基底包括一信道区与一源极/汲极区；

进行一口袋离子植入步骤，将一掺质植入该基底的该源极/汲极区中；以及

进行一热工艺，使该掺质扩散，而在该源极/汲极区周缘的该信道区边缘形成该口袋型掺杂区。

9.如权利要求8所述的存储元件的口袋型掺杂区的形成方法，其特征为：该掺质的掺杂型态为P型，选自于硼离子或BF₂之一。

10.如权利要求8所述的存储元件的口袋型掺杂区的形成方法，其特征为：该热工艺在摄氏750度～900度之间施行。

11.如权利要求8所述的存储元件的口袋型掺杂区的形成方法，其特征为：在进行该口袋离子植入步骤前，还包括在该基底的信道区上覆盖一罩幕层，且在进行该热工艺步骤前，还包括去除该罩幕层的步骤。

12.一种半导体元件的口袋型掺杂区的形成方法，其特征为：该方法包括：

提供一基底，该基底包括一信道区与一源极/汲极区；

进行一口袋离子植入步骤，将一掺质植入该基底的该源极/汲极区之中；以及

进行一热工艺，使该掺质扩散，而在该源极/汲极区周缘的该信道区边缘形成该口袋型掺杂区。

13.如权利要求12所述的半导体元件的口袋型掺杂区的形成方法，其特征为：该掺质的掺杂型态为P型，选自于硼离子或BF₂之一。

14.如权利要求12所述的半导体元件的口袋型掺杂区的形成方法，其特征为：该热工艺在摄氏750度～900度之间施行。

15.如权利要求12所述的半导体元件的口袋型掺杂区的形成方法，其特征为：在进行该口袋离子植入步骤前，还包括在该基底的信道区上覆盖一罩幕层，且在进行该热工艺步骤前，还包括去除该罩幕层的步骤。