[发明专利]决定分离闸存储胞元特性的方法无效
申请号: | 01119743.9 | 申请日: | 2001-05-24 |
公开(公告)号: | CN1388576A | 公开(公告)日: | 2003-01-01 |
发明(设计)人: | 高启弘 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/8247 | 分类号: | H01L21/8247;H01L21/66;G11C16/00;G11C29/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 台湾省新竹市新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 决定 分离 存储 特性 方法 | ||
1.一种用于决定一分离闸存储胞元特性的方法,包括下列步骤:
将一漂浮闸完全充电;
于漂浮闸完全充电时量测所述存储胞元的一参数;以及
根据所述量测值决定所述存储胞元的特性。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将漂浮闸完全充电包含有移除所述漂浮闸上所有电荷,并且然后增加电荷于所述漂浮闸上至所述漂浮闸完全充电为止。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述参数的量测包含有量测相对于一源极闸电压的一控制闸电压。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述特性的决定包含有决定一电容特性。
5.一存储胞元,其特征在于,它是使用如权利要求1的所决定的特性进行设计的。
6.一存储胞元数组,其特征在于,所述数组的每一胞元是使用如权利要求1所决定的特性而设计的。
7.一种用于决定一分离闸存储胞元特性的方法,包括下列步骤:
将所述存储胞元初始化;
将所述存储胞元置于一反操作模式;
扫视所述存储胞元的一控制闸电压;
量测所述胞元的一源极电压;以及
决定所述存储胞元的特性。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述初始化包含有量测所述胞元的相对于一控制闸电压的一漏极电流,以及量测所述胞元相对于一控制闸电压的一源极电流并决定所述存储胞元是否处于一次临界区域中,且如果所述存储胞元是处于一次临界区域中时,将一漏极电流与一源极电流相比较。
9.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
确认所述特性的决定已否有效执行。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述确认包含有决定一临界电压改变。
11.一存储胞元,其特征在于,它使用如权利要求7的所决定的特性进行设计。
12.一存储胞元数组,其特征在于,所述数组的每一胞元是使用如权利要求7所决定的特性而设计的。
13.一种用于决定一分离闸存储胞元的两特性的方法,包括下列步骤:
定义一含有三未知变量的第一函数,而所述两特性为其中的两未知变量;
定义一第二函数而其中仅两特性为未知变量;
量测一第一组件参数相对于一第二组件参数以决定所述第一函数的其余未知变量;以及
使用量测值而解所述第一函数与所述第二函数以决定所述两特性。
14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,所述第一函数为;其中S为其余未知变量,耦合比例αG为所述两特性的其一特性,耦合比例αS为所述两特性的另一特性,耦合比例αG为于总漂浮闸电容中漂浮闸电容对源极电极电容的比例,耦合比例αS为于总漂浮闸电容中控制闸电极对漂浮闸电极电容的比例。
15.如权利要求14所述的方法,其特征在于,所述第二函数为αG+αS=1。
16.如权利要求15所述的方法,其特征在于,所述第一组件参数为一变化源极电压且所述第二组件参数为一变化控制闸电压,且其余未知变量S为变化源极电压与变化控制闸电压的比例。
17.一存储胞元,其特征在于,它使用如权利要求13所决定的特性进行设计。
18.一存储胞元数组,其特征在于,所述数组的每一胞元是使用如权利要求13所决定的特性而设计的。
19.一种用于决定一分离闸存储胞元耦合比例的方法,其特征在于,包括下列步骤:
将所述存储胞元初始化;
将所述存储胞元置于一反操作模式;
扫视所述存储胞元的一控制闸电压;
量测所述胞元的一源极电压;以及
决定所述存储胞元的耦合比例,其中所述耦合比例为于包含一差异胞元组件阻抗值的总组合胞元阻抗值中的差异胞元阻抗值的比例。
20.如权利要求19所述的方法,其特征在于,所述第一耦合比例为于总漂浮闸电容中的控制闸电极对漂浮闸电容的比例,而所述第二耦合比例为于总漂浮闸电容中的控制闸电极对漂浮闸电容的比例。
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