[发明专利]分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法

权利要求书

1.一种分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一基板；

于所述基板上依序形成一第一介电层、一第一导体层以及一第二介电层；

对所述第二介电层与第一导体层进行一第一光罩微影蚀刻制程，进而定义一选择栅；

于所述第一介电层、所述第一导体层以及所述第二介电层上形成一第三介电层；

对所述第三介电层进行一非等向性蚀刻，用以于所述选择栅上形成一侧壁结构；

除去所述第一介电层后再于所述基板上形成一隧穿介电层；

于所述隧穿介电层、所述选择栅以及所述侧壁结构上形成一第二导体层；

对所述第二导体层进行一非等向性蚀刻，用于所述侧壁结构外侧形成一间隙壁结构；

对所述间隙壁结构进行一第二光罩微影蚀刻制程，用以完成一浮置栅，所述浮置栅与所述选择栅间以所述侧壁结构相隔；

于所述隧穿介电层、所述选择栅、所述侧壁结构以及所述浮置栅上形成一第四介电层后进行一离子布植制程，进而形成一源极区域以及一汲极区域；

于所述第四介电层上形成一第三导体层；以及

对所述第三导体层进行一第三光罩微影蚀刻制程，用以完成一控制栅，所述控制栅与所述浮置栅间以所述第四介电层相隔。

2.如权利要求1所述的分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法，其特征在于，所述基板是为一硅基板。

3.如权利要求2所述的分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法，其特征在于，形成所述隧穿介电层的方法为：对所述硅基板进行一热氧化制程以形成材质为氧化硅的所述隧穿介电层。

4.如权利要求1所述的分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法，其特征在于，所述第一介电层的材质是选自氧化硅、氮化硅及其复合层中之一。

5.如权利要求1所述的分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法，其特征在于，所述第一导体层的材质是选自多晶硅、非晶硅、再结晶硅以及多晶硅化金属中之一。

6.如权利要求1所述的分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法，其特征在于，所述第二介电层的材质是选自氧化硅、氮化硅及其复合层中之一。

7.如权利要求1所述的分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法，其特征在于，所述第三介电层的材质是选自氧化硅、氮化硅及其复合层中之一。

8.如权利要求1所述的分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法，其特征在于，对所述第三介电层所进行的所述非等向性蚀刻是为一干式蚀刻。

9.如权利要求1所述的分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法，其特征在于，所述第二导体层的材质是选自多晶硅、非晶硅以及再结晶硅中之一。

10.如权利要求1所述的分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法，其特征在于，对所述第二导体层所进行的所述非等向性蚀刻是为一干式蚀刻。

11.如权利要求1所述的分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法，其特征在于，所述第四介电层的材质是选自氧化硅、氮化硅及其复合层中之一。

12.如权利要求1所述的分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法，其特征在于，所述第三导体层的材质是选自多晶硅、非晶硅以及再结晶硅中之一。