[发明专利]多层胶一次电子束曝光多次显影形成T型栅制作方法无效
| 申请号: | 01118806.5 | 申请日: | 2001-06-14 |
| 公开(公告)号: | CN1392592A | 公开(公告)日: | 2003-01-22 |
| 发明(设计)人: | 郑英奎;和致经;吴德馨;刘明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子中心 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
| 地址: | 10002*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多层 一次 电子束 曝光 多次 显影 形成 制作方法 | ||
1、一种多层胶一次电子束曝光多次显影形成T型栅制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、分三次在所需材料衬底上匀胶,形成符合胶结构;
步骤2、电子束光刻;
步骤3、分别在所需材料衬底上进行三次显影,形成T型槽;
步骤4、蒸发栅金属:钛/金=300/3000;
步骤5、剥离形成T型栅。
2、根据权利要求1所述的多层胶一次电子束曝光多次显影形成T型栅制作方法,其特征在于,其中步骤1中均胶的复合胶结构为聚异丁烯酸甲脂-聚异丁烯酸甲脂及其甲基丙烯酸共聚物-聚异丁烯酸甲脂三层结构,分别在170℃烘干60分钟。
3、根据权利要求1所述的多层胶一次电子束曝光多次显影形成T型栅制作方法,其特征在于,其中步骤2中的电子束光刻的曝光条件为:500μc、100pA。
4、根据权利要求1所述的多层胶一次电子束曝光多次显影形成T型栅制作方法,其特征在于,其中步骤3中分别在所需衬底上进行三次显影,其分别是:
1:四甲基戊酮/异丙醇=1/3、温度26℃、显影30秒,异丙醇冲洗,
甩干-80℃烘10分钟,显掉最上面一层,开出栅的窗口;
2:甲醇/异丙醇=1/1、温度26℃、显影15秒,异丙醇冲洗,甩干-
80℃烘10分钟,显中间层,形成栅的顶部;甲醇/异丙醇显影液只
对聚异丁烯酸甲脂及其甲基丙烯酸共聚物胶起作用,而不会对聚异
丁烯酸甲脂胶产生很大影响,通过控制这一步的显影时间可以调整
T型栅顶部的宽度;
3:四甲基戊酮/异丙醇=1/3、温度26℃、显影30秒,异丙醇冲洗,
甩干,显最下面一层,形成0.1微米的底部。
5、根据权利要求1所述的多层胶一次电子束曝光多次显影形成T型栅制作方法,其特征在于,其中步骤4中的蒸发栅金属是:钛/金=300/3000。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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