[发明专利]无电镀形成双层以上金属凸块的制备方法

权利要求书

1.一种无电镀形成两层以上金属凸块的制备方法，其特征是包括下列步骤：

(a)提供一设有若干焊垫(pad)的基板，各该焊垫的周围并覆有一保护层(passivelayer)；

(b)附上一光阻图案，该光阻图案应裸露出各该焊垫；

(c)对各该焊垫表面进行活化(activation)以产生活化剂(activator)；

(d)以无电镀(electroless plating)方式形成一预定厚度的层金属凸块(bump)于该焊垫之上；

(e)移除该光阻图案；

(f)以无电镀方式形成一外围金属层，完全包覆住该金属凸块外围。

2、如权利要求1所述的制备方法，其特征是所述的焊垫为铜焊垫或铝焊垫其中一种。

3、如权利要求1所述的制备方法，其特征是所述的光阻图案的厚度在15μm以上。

4、如权利要求1所述的制备方法，其特征是所述步骤(b)之后还包括对所述焊垫表面进行清洁。

5、如权利要求1所述的制备方法，其特征是所述铜焊垫的活化剂为金属种晶(Pdseed)；所述铝焊垫的活化剂为金属锌种晶(Zn seed)。

6、如权利要求1所述的制备方法，其特征是所述内层金属凸块为镍材质，其高度在15～20μm之间。

7、如权利要求1所述的制备方法，其特征是所述外围金属层为金属铜层或金(Au)层。

8、如权利要求1所述的制备方法，其特征是所述内层金属凸块的高度加上外围金属层的厚度总共至少在18μm以上。

9、一种无电镀形成两层以上金属凸块的制备方法，其特征是包括下列步骤：

(a)在设有若干焊垫(pad)且有保护层的芯片上覆上第一介电层，以定义出重新分布(redistribution)路线；

(b)对表面进行粗化及活化处理后以无电镀方式在该重新分布路线中沉积导线层，即内部金属层；

(c)附上一光阻图案，该光阻图案应裸露出若干预设位置；

(d)对各该预设位置处表面进行活化(activation)以产生活化剂(activator)；

(e)以无电镀(electrolessplating)方式于该预设位置上形成一预定厚度的金属凸块(bump)；

(f)移除该光阻图案；

(g)在金属凸块周围覆上第二介电层，其厚度较该金属凸块的厚度小，且在金属凸块周围设有尺寸比金属凸块略大的开口，以完全裸露出该金属凸块。

(h)以无电镀方式形成一外围金属层，完全包覆住该金属凸块外围。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征是所述的焊垫周围若没有一保护层(passivelayer)时，先在该焊垫周围形成一介电层以替代原保护层。

11、如权利要求9、10所述的制备方法，其特征是所述的焊垫为铜焊垫或铝焊垫其中一种。

12、如权利要求9所述的制备方法，其特征是在所述(d)之后对所述焊垫表面进行清洁。

13、如权利要求12所述的制备方法，其特征是所述对焊垫表面清洁采用10％硫酸进行的。

14、如权利要求11所述的制备方法，其特征是所述铜焊垫的活化剂为金属种晶(Pdseed)；所述铝焊垫的活化剂为金属锌种晶(Znseed)。

15、如权利要求9所述的制备方法，其特征是所述金属凸块为镍材质，其高度在15μm以上。

16、如权利要求9所述的制备方法，其特征是所述外围金属层为金属铜层或金(Au)层。

17、如权利要求9所述的制备方法，其特征是所述金属凸块的高度加上外围金属层的厚度总共需大于该第二介电层厚度，至少在18μm以上。