[发明专利]电子电路组件无效
申请号: | 01118234.2 | 申请日: | 2001-05-24 |
公开(公告)号: | CN1334695A | 公开(公告)日: | 2002-02-06 |
发明(设计)人: | 善里彰之;植田和彦;井上明彦;佐久间博 | 申请(专利权)人: | 阿尔卑斯电气株式会社 |
主分类号: | H05K3/00 | 分类号: | H05K3/00;H05K3/30;H01L27/01;H01L25/16 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人: | 刘激扬 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子电路 组件 | ||
本发明涉及搭载半导体裸芯片和电容器等平面安装型的电子电路组件,特别是涉及适合作为高频器件使用的电子电路组件。
一般,作为高频器件使用的电子电路组件是在设在基板上的导电图形的焊区上焊接芯片电阻和芯片电容器等各种电路零件而构成的,但是,随着近年来的集成电路技术的发展,开发出了在基板上形成电路元件薄膜的小型的电子电路组件。
在这样的电子电路组件中,当所必须的电路构成包含例如晶体管和多个电容器时,采用这样的方法:在基板上以薄膜的形式形成多个薄膜电容器和布线图形,然后,在该基板上搭载晶体管的裸芯片,来进行引线接合。其中,薄膜电容器这样构成:依次层叠下部电极和介电体以及上部电极,下部电极和上部电极由布线图形的一部分所构成。而且,晶体管这样构成:用导电性粘接剂把下表面的集电极电极连接到连接区上,把上表面的发射极电极和基极电极用导线连接到接合区上,这些连接区和接合区由布线图形的一部分所构成。
近年来,芯片零件和晶体管等电路零件小型化的技术显著进步,如外形尺寸为0.6×0.3mm的超小型芯片电阻和芯片电容器已实用化。因此,在上述现有的电子电路组件中,如果使用这样的小型的芯片零件和晶体管等,并把这些电路零件以缩窄零件间间距的状态安装到基板上,就能使电子电路组件小型化到某种程序。但是,在芯片零件和晶体管等电路零件的小型化上是有限度的,而且,当多个电路零件安装到基板上时,各电路零件的焊接部分必须不能短路,因此,缩窄零件间间距是有限度的,它们成为妨碍电子电路组件进一步小型化的主要因素。
而且,根据上述现有的电子电路组件,由于至少要在基板上以薄膜形式形成多个电容器,因此,能够实现某种程度的小型化,而由于有必要在基板上有限的面积内以薄膜形式形成多个电容器和布线图形等,因此,在电子电路组件的进一步小型化这点上具有改善的余地。
而且,这种电子电路组件具有例如放大电路,当通过电容器把该放大电路用的晶体管的发射极接地时,在上述现有技术中,把薄膜电容器的下部电极或者上部电极通过布线图形连接到接合区上,把发射极电极引线接合到该接合区上,但是,由于介于这些薄膜电容器与接合区之间的布线图形的电感成份,导致高频特性变差。
鉴于现有技术存在的问题,本发明的目的是提供一种适合小型化的并且高频特性优良的电子电路组件。
作为用于实现上述目的的第一方案,在本发明的电子电路组件中,设置有:以薄膜形式形成在氧化铝基板上的导电图形;与该导电图形相连接而以薄膜形式形成在上述氧化铝基板上的包含电容器和电阻以及电感元件的电路元件;与上述导电图形引线接合的半导体裸芯片,搭载上述半导体裸芯片的连接区的面积小于该半导体裸芯片的下表面面积。
根据这样的构成,由于使用薄膜技术而高精度地形成包含电容器和电阻以及电感元件的电路元件,而且,半导体元件引线接合裸芯片,因此,能够在氧化铝基板上高密度地安装所需的电路零件,而实现适合于小型化的平面安装型的电子电路组件。而且,由于搭载上述半导体裸芯片的连接区的面积小于该半导体裸芯片的下表面面积,因此,就能使涂敷在连接区上的膏状焊锡和导电浆料等导电性粘接剂蓄积在半导体裸芯片的外形的内侧,从而防止导电性粘接剂从半导体裸芯片的外形溢出而与周围的导电图形短路的问题。
在上述构成中,最好使呈长方形的半导体裸芯片的至少两边从连接区的外形背离,这样,能够把导电性粘接剂蓄积在半导体裸芯片的两边以上的外形内侧,就能更有效地防止导电性粘接剂的溢出。
在上述的构成中,最好在连接区的内部设置开口,根据这样的连接区,能够把剩余的导电性粘接剂蓄积在开口内,因此,能够更确实地防止导电性粘接剂的溢出。
而且,作为用于实现上述目的的第二方案,在本发明的电子电路组件中,在基板上形成通过介电体层叠上部电极和下部电极的电容器,同时,在上述基板上搭载半导体裸芯片以便于与上述电容器重合,并且,上述电容器的上述上部电极兼用做与上述半导体裸芯片的下表面电极所连接的连接区的一部分。
根据这样的构成,由于在半导体裸芯片的搭载空间的正下方形成薄膜电容器,因此,把基板上的面积效率提高了这些半导体裸芯片与薄膜电容器重叠的部分,能够促进电子电路组件的小型化。且由于薄膜电容器的上部电极兼用做与上述半导体裸芯片的下表面电极所连接的连接区的一部分,因此,薄膜电容器与半导体裸芯片间的引线电感成份减少了,能够防止高频特性的变差。
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