[发明专利]电子电路组件

说明书

本发明涉及一种平面安装型电子电路组件。

一般来说，这种平面安装型电子电路组件按如下构成，即把各种电路部件软钎焊到设计在基板上的导电图样的软钎焊接区上，再用密封盖覆盖这些电路部件。在基板侧面上设置端面电极，把电子电路组件平面安装到母基板上时，端面电极被软钎焊到母基板的软钎焊接区上。应该根据调谐电路或共振电路或放大电路等所需电路构成使用电路部件，例如放大电路用的电路部件可以使用晶体管、单片电阻、单片电容以及电感等，这些电路部件通过导电图样相互连接。

然而，近几年来，都在大力发展单片部件和晶体管等电路部件的小型化技术，例如使得外形尺寸0.6×0.3mm大小的超小型单片电阻和单片电容实用化。然而，如果在上述现有电子电路组件上也使用这种小型的单片部件或晶体管等，这些部件以相互极小的间隔被安装到基板上，则可使电子电路组件小到某种程度。但是，因为单片部件和晶体管等的电路部件的小型化是有限度的，而且，在把多个电路部件安装到基板上时，各电路部件的软钎焊部件必然会发生短路现象，所以部件间的间隙也是有一定限度的，这些因素成为妨碍电子电路组件更小型化的主要原因。

当这种电子电路组件具有如放大电路时，在上述现有技术中，虽然放大电路所需要的全部电阻使用被预先调整到期望电阻值的通用的单片电阻，但是当装上的单片电阻中存在电阻值偏差时，晶体管的集电极电流就会出现偏差，导致以后的输出调整非常麻烦。

鉴于现有技术中存在的实际问题，本发明的目的在于提供一种既可实现小型化，又能简单地进行输出调整的电子电路组件。

为了达到上述目的，本发明的电子电路组件具备：电路元件，该电路元件包括以薄膜形式形成在氧化铝基板上的电容、电阻及电感元件和引线接合到上述氧化铝基板上的晶体管的半导体裸芯片，上述晶体管具有至少一个第1晶体管，只调整该第1晶体管的基极偏压用分压电阻和发射极电阻中的发射极电阻，而设定上述第1晶体管的电流值。

根据上述构成，因为利用薄膜技术高精度地形成包括电容、电阻以及电感的电路元件，而且，晶体管的半导体元件引线接合裸芯片，所以能够把需要的电路部件高密度地安装在氧化铝基板上，使平面安装型电子电路组件更加小型化。即使薄膜形式形成在氧化铝基板上的基极偏压用分压电阻的每个电阻值存在偏差，因为只要调整发射极电阻，就可改变晶体管的集电极电流值，所以只在一个地方就能够进行输出调整所需要的电阻值的调整。

对于上述构成，在晶体管具有相互串联的第1晶体管和第2晶体管的情况下，最好是只调整这些第1及第2晶体管的基极偏压用分压电阻和发射极电阻中的第1晶体管的发射极电阻来设定两晶体管的电流值，若作这样的设定，仅仅调整第1晶体管的发射极电阻，就能够省略全部基极偏压用分压电阻的调整。

本发明的电子电路组件具备：电路元件，该电路元件包括以薄膜形式形成在氧化铝基板上的电容、电阻及电感元件和引线接合到上述氧化铝基板上的晶体管的半导体裸芯片，上述晶体管具有至少一个第1晶体管，把向该第1晶体管基极施加电压的基极偏压用分压电阻相互靠近地以薄膜形式形成在上述氧化铝基板上。

根据上述构成，因为利用薄膜技术高精度地形成包括电容、电阻以及电感元件的电路元件，而且，晶体管的半导体元件引线接合裸芯片，所以能够把需要的电路部件高密度地安装在氧化铝基板上，使电子电路组件小型化。虽然，以薄膜状形成在氧化铝基板上的电阻的绝对值具有一定程度的偏差，但因为把施加到晶体管上的多个基极偏压用分压电阻相互接近地以薄膜方式形成，所以这些电阻的偏差比率基本上相同，从而能够省略电阻值的调整。

在晶体管具有相互串联的第1晶体管和第2晶体管的情况下，最好是在氧化铝基板上相互靠近地以薄膜形式形成第1及第2晶体管的基极偏压用分压电阻，如果这样处理，则能够省略全部基极偏压用分压电阻的调整。

对于上述构成，最好把多个基极偏压用分压电阻的一部分或全部并排成多列，如果这样布置，则可在氧化铝基板上有限的空间内更有效地配置基极偏压用分压电阻。

在氧化铝基板上以薄膜形式形成包括电容、电阻及电感元件的电路元件的同时，引线接合晶体管半导体裸芯片，且只调整该晶体管的基极偏压用分压电阻和发射极电阻中的发射极电阻，所以不仅能够把需要的电路部件高密度地安装在氧化铝基板上，使电子电路组件小型化，而且，即使薄膜形式形成在氧化铝基板上的基极偏压用分压电阻的每个电阻值存在偏差，因为只要调整发射极电阻，就可改变晶体管的集电极电流值，所以能够省略基极偏压用分压电阻的调整工作。