[发明专利]湿度传感器及其制作方法

权利要求书

1、一种湿度传感器，它包含一个绝缘基材，一对布置在基材上并在其两者之间划定了间隙的对立电极，至少位于间隙处的一层含硅底涂层，以及位于底涂层上的一层湿度敏感薄膜，

所述湿度敏感薄膜含有一种带有烯属不饱和基团的导电聚合物的交联产物，并且该薄膜借助一种互穿聚合物网络而被物理地结合到所述底涂层上。

2、一种湿度传感器，它包含一个绝缘基材，一对布置在基材上并在其两者之间划定了间隙的对立电极，至少位于间隙处的一层含硅底涂层，以及位于底涂层上的一层湿度敏感薄膜，

所述湿度敏感薄膜含有下式(Ⅰ)聚合物的交联产物，并且该薄膜借助未经脱卤反应的共价键而结合到所述底涂层上，其中A和B各自为二价基团，

Y₁、Y₂、Y₃、Y₄、Y₅和Y₆各自为一价基团，Y₁至Y₆中的至少一个是以烯属不饱和反应基团封端的基团，

与氮(N)原子相连的Y₁、Y₂、Y₃、Y₄、Y₅、A及它们的一部分中的至少两个或与氮(N)原子相连的Y₄、Y₅、Y₆、B及它们的一部分中的至少两个，连接在一起，可以与氮原子形成一个环，

X^-是卤离子，以及

字母n是2-5000的数。

3、权利要求2的湿度传感器，其中所述湿度敏感薄膜借助一种互穿聚合物网络而被物理地结合到所述底涂层上。

4、权利要求1至3中任一项的湿度传感器，其中所述湿度敏感薄膜的厚度为0.1-20μm。

5、权利要求2至4中任一项的湿度传感器，其中所述聚合物具有以下化学式(Ⅱ)或(Ⅲ)：其中A和B各自为二价基团，

R₁、R₂、R₃和R₄各自为烷基或链烯基，

R₁与R₂、R₁与A或A的一部分、R₂与A或A的一部分、R₃与R₄、R₃与A或A的一部分、R₄与A或A的一部分、R₁与R₃、R₁与R₄、R₂与R₃、或者R₂与R₄，连接在一起，可以与氮(N)原子形成一个环，

L是一个二价基团，

R是氢或烷基，

X是卤离子，

n是2-5000的数，以及

R₅和R₆各自为烷基或链烯基

6、权利要求2至5中任一项的湿度传感器，其中用A表示的二价基团是亚烷基、亚链烯基或亚芳基或它们的混合物。

7、权利要求2至6中任一项的湿度传感器，其中用B表示的二价基团是可以插入氧基(-O-)和羰基(-CO-)中的至少一个的亚烷基、亚链烯基或亚芳基或它们的混合物。

8、权利要求2至7中任一项的湿度传感器，其中所述聚合物是这样得到的：使二胺化合物与二卤代化合物反应形成中间聚合物，再将烯属不饱和反应基团引入该中间聚合物的每一端。

9、一种制作湿度传感器的方法，包括以下步骤：

将含有至少一个可水解基团和一个带有不饱和键的有机基团的硅烷化合物涂覆到基材上，形成一层底涂层，

将包含着带有烯属不饱和基团的导电聚合物的溶液涂覆到该底涂层上，和

将该导电聚合物暴露在辐射中以使该聚合物交联并使该聚合物与硅烷化合物结合在一起，从而形成湿度敏感薄膜。

10、权利要求9的方法，其中导电聚合物与硅烷化合物之间的结合是由烯属不饱和基团与不饱和键之间的交联所形成的共价键造成的。