[发明专利]辗轧减少剂有效

专利信息
申请号: 01117604.0 申请日: 2001-04-27
公开(公告)号: CN1325933A 公开(公告)日: 2001-12-12
发明(设计)人: 萩原敏也;藤井兹夫;大岛良晓 申请(专利权)人: 花王株式会社
主分类号: C09K3/00 分类号: C09K3/00;C09G1/00
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 白益华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 减少
【说明书】:

本发明涉及辗轧(roll-off)减少剂。更确切地说,本发明涉及含有辗轧减少剂的辗轧减少剂的组合物,通过将辗轧减少剂施加到基片上而减少抛光基片的辗轧的方法,通过将辗轧减少剂施加到基片上而形成抛光基片的方法,抛光组合物,通过将抛光组合物施加到基片上来抛光基片的抛光方法,通过将抛光组合物施加到要抛光的基片上而制成基片的方法。

数年来,对进一步提高硬盘容量的技术的需求越来越高。作为一种提高硬盘容量的先进方法,已经考虑了通过减少抛光过程中引起的辗轧(基片端面的边缘圆)来制成甚至外圆周也能够记录数据的基片的方法。例如,已经研究了能够减少辗轧的各种机械抛光条件,例如使抛光垫更硬、使抛光负荷更小。然而,虽然由这些机械抛光条件减少辗轧获得了一定程度的效果,但是该效果尚不能令人满意。

另外,作为能够减少辗轧的抛光组合物,一种含有水、α-氧化铝粒子和硝酸铝的组合物是已知的(日本公开专利№Hei-9-286975)。但是,该组合物没有令人满意的减少辗轧的效果,目前对具有优良的减少辗轧效果的抛光组合物的研究尚不充分。

另一方面,近年来,在硬盘的小型化和高容量方面,取得了很大进展,使高密度有了提高,最小记录区变小,磁头的悬浮量减少。因此,就要求提高抛光速率,降低表面粗糙度,降低表面缺陷(例如硬盘基片在抛光过程中的划痕和凹坑)。从这个角度考虑,对以下抛光组合物进行了研究:使用水、氧化铝、勃姆石和鳌合物的组合物(日本公开专利№平11-92749等);含有水、α-氧化铝和用乙酸稳定的氧化铝溶胶的抛光组合物(日本公开专利№2000-63805);铝磁盘用的抛光组合物,含有水、氧化铝磨粉、抛光促进剂(例如葡糖酸或乳酸)和表面改性剂(例如氧化铝胶体)(日本公开专利№平2-84485);含有水、氧化铝研磨剂和含有钼酸和有机酸的抛光促进剂的抛光组合物(日本公开专利№平7-216345);和抛光方法。

但是所有这些抛光组合物都没有完全令人满意地达到减少辗轧效果、提高抛光速率的效果、降低抛光物件的表面粗糙度的效果、减少表面缺陷(例如划痕和凹坑的效果)的全部要求。因此,就需求可进一步提高这些效果的抛光组合物。

本发明的一个目的是提供能够减少抛光引起的抛光基片的辗轧并提高抛光速率的辗轧减少剂、含有辗轧减少剂的辗轧减少剂组合物,通过使用所述辗轧减少剂减少抛光基片的辗轧的方法,和通过使用所述辗轧减少剂制造抛光基片的方法。

本发明的另一个目的是提供这样的抛光组合物,它具有增高的抛光速率,具有在抛光基片表面上不形成表面缺陷情形下降低的表面粗糙度,并能够减少辗轧;还提供使用该抛光组合物抛光基片的抛光方法,和制造所述抛光基片的方法。

本发明的这些和其他目的会从下面描述中变得明显。

在本文中,“辗轧”一词指指定的所谓端面边缘圆,其中抛光基片的部分端面比中心部分研磨得更多,由此会从末端部分圆磨掉。

根据本发明提供:

(1)一种辗轧减少剂,它含有一种或多种选自具有2-20个碳原子并具有OH基团(一个或多个)或SH基团(一个或多个)的羧酸、具有1-20个碳原子的单羧酸、具有2-3个碳原子的二羧酸及其盐的化合物;

(2)一种辗轧减少剂组合物,它含有:

一种辗轧减少剂,该辗轧减少剂含有一种或多种选自具有2-20个碳原子并具有OH基团(一个或多个)或SH基团(一个或多个)的羧酸、具有1-20个碳原子的单羧酸、具有2-3个碳原子的二羧酸及其盐的化合物;

研磨剂;和

水;

(3)一种抛光组合物,它含有:

水;

研磨剂;

一种辗轧减少剂,它含有一种或多种选自具有2-20个碳原子并具有OH基团(一个或多个)或SH基团(一个或多个)的羧酸、具有1-20个碳原子的单羧酸、具有2-3个碳原子的二羧酸及其盐的化合物;和

中间氧化铝;

(4)一种抛光组合物,它含有:

(A)一种或多种选自具有2-20个碳原子并具有OH基团(一个或多个)或SH基团(一个或多个)的羧酸、具有1-20个碳原子的单羧酸、具有2-3个碳原子的二羧酸及其盐的化合物;

(B)一种或多种选自具有4个或更多碳原子而且既没有OH基团(一个或多个)也没有SH基团(一个或多个)的多羧酸、氨基多羧酸、氨基酸及其盐的化合物;

(C)一种或多种选自中间氧化铝和氧化铝溶胶的化合物;

研磨剂和

水;

(5)一种抛光组合物,它含有:

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