[发明专利]具有硫族化物介电涂层的台面状半导体发光器件无效
| 申请号： | 01117577.X | 申请日： | 2001-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN1332502A | 公开（公告）日： | 2002-01-23 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·N·柏拉根;费德里科·卡帕索;阿尔弗雷德·Y·乔;克莱尔·F·格玛楚;阿伯特·L·哈沁森;哈罗德·Y·黄;罗伯托·帕特拉;阿瑟·M·瑟贞特;德伯拉·L·斯夫科;阿利桑德罗·特莱迪库奇 | 申请（专利权）人： | 朗迅科技公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 硫族化物介电 涂层 台面 半导体 发光 器件 | ||
1.一种台面状半导体发光器件，包括：
具有纵轴的有源区，当所述有源区被适当地泵激时光辐射沿该纵轴传播；
与所述有源区键合的上下包覆区；
所述发光器件包括沿所述轴延伸的细长台面，并且至少穿过所述上包覆区和所述有源区；
位于所述台面侧壁上的介电涂层；
位于所述介电涂层上的金属层，
其特征在于，所述涂层包括硫族化物玻璃。
2.根据权利要求1的发光器件，其中，所述涂层包括多个硫族化物玻璃层。
3.根据权利要求2的发光器件，其中，所述涂层包括位于所述侧壁上的相对薄的高折射率的第一介电层和位于所述第一层上的相对厚的低折射率的硫族化物玻璃第二层。
4.根据权利要求3的发光器件，其中，所述第一层还包括硫族化物玻璃层。
5.根据权利要求2的发光器件，其中，所述涂层包括多个具有不同折射率的硫族化物玻璃材料的交替层，以便形成布拉格反射器。
6.根据权利要求1的发光器件，其中，所述玻璃层包括选自GexSe1-x’AsxS1-x’GexAsySe1-x-y’和GexSbySe1-x-y构成的组中的材料。
7.根据权利要求6的发光器件，其中，所述硫族化物玻璃包括GexSe1-x，其中x大约小于0.4。
8.根据权利要求1的发光器件，其中，沿所述轴调节所述台面宽度，以便形成布拉格反射器。
9.根据权利要求1的发光器件，其中，所述发光器件是中心波长工作在大约3-19μm的中红外范围内的激光器。
10.根据权利要求9的发光器件，其中，所述台面具有大约3-5μm的宽度。
11.根据权利要求9的发光器件，其中，所述激光器包括ISB激光器。
12.根据权利要求11的发光器件，其中，所述激光器包括QC激光器。
13.根据权利要求1的发光器件，其中，所述硫族化物玻璃涂层足够地厚，以便防止所述辐射对所述金属层的任何明显渗透，提供对所述辐射的有效波导。
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