[发明专利]发光器件及使用该发光器件的光学装置无效
| 申请号： | 01117233.9 | 申请日： | 2001-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1316810A | 公开（公告）日： | 2001-10-10 |
| 发明（设计）人： | 池田昌夫 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 使用 光学 装置 | ||
1、一种发光器件，具有叠置于支撑基底一个面上的多个发光元件。
2、一种发光器件，包括：
支撑基底；
具有第一衬底的第一发光元件，该元件设置于支撑基底的一个面上；及
具有第二衬底的第二发光元件，该元件设置于第一发光元件的与支撑基底相反的一侧上。
3、根据权利要求2的发光器件，其中第一衬底在可见光区是透明的。
4、根据权利要求2的发光器件，其中第一和第二发光元件可以发射不同波长的光。
5、根据权利要求2的发光器件，其中第一发光元件具有含3B族元素中的至少一种和5B族元素中的至少氮(N)的半导体层。
6、根据权利要求5的发光器件，其中第一衬底由含3B族元素中的至少一种和5B族元素中的至少氮(N)的氮化物系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体或蓝宝石(Al2O3)构成。
7、根据权利要求2的发光器件，其中第一发光元件在第一衬底的设置支撑基底的一侧上具有发光部分。
8、根据权利要求2的发光器件，其中第二发光元件在第二衬底的设置第一发光元件的一侧上具有发光部分。
9、根据权利要求2的发光器件，其中第二发光元件具有输出波长不同的多个发光部分。
10、根据权利要求2的发光器件，其中第二衬底由砷化镓(GaAs)构成。
11、根据权利要求2的发光器件，其中第二发光元件具有含3B族元素中的至少镓(Ga)和5B族元素中的至少砷(As)的半导体层。
12、根据权利要求2的发光器件，其中第二发光元件具有含3B族元素中的至少铟(In)和5B族元素中的至少磷(P)的半导体层。
13、根据权利要求2的发光器件，其中第二发光元件具有含2A族或2B族元素中的至少一种元素和选自6B族元素中的至少一种元素的半导体层，所说2A族或2B族元素包括锌(Zn)、镉(Cd)、汞(Hg)、铍(Be)和镁(Mg)，所说6B族元素包括硫(S)、硒(Se)和碲(Te)。
14、一种具有发光器件的光学装置，在所述发光器件中多个发光元件叠置于支撑基底的一个面上。
15、一种光学装置，其上安装有发光器件，所说发光器件包括：支撑基底；具有第一衬底的第一发光元件，该元件设置于支撑基底的一个面上；及具有第二衬底的第二发光元件，该元件设置于第一发光元件的与支撑基底相反的一侧上。
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