[发明专利]制作图象显示装置的方法和设备

说明书

本发明涉及一种电子发射器件排列成矩阵型式的图象显示装置，特别是制作图象显示装置的方法和设备，此图象显示装置具有一显示面板，在该显示面板上，具有排列成矩阵型式的电子发射器件的后板(RP)和具有荧光物质的前板(FP)分别作为第一图象形成部件和第二图象形成部件而相对排列。

按照常规，电子发射器件大体上分为两种类型，即热电子发射器件和冷阴极电子发射器件。冷阴极电子发射器件包括场致发射型(下文称作FE型)、金属/绝缘层/金属型(下文称作MIM型)、表面传导型电子发射器件以及等等诸如此类的电子发射器件。

至于FE型电子发射器件实例，已经公开的有W.P.Dyke&W.W.Dolan在Advancein Electron Physics(电子物理的发展)，8,89(1956)的“Field Emission(场致发射)”中、C.A.Spindt在J.Appl.Phys.(应用物理期刊)，47,5248(1976)的“Physical Properties of thin-film field emission cathodes withmolybdenum cones(具有钼质锥形头部的薄膜场致发射阴极管的物理特性)”等中披露的电子发射器件。

至于MIM型电子发射器件实例，已经公开的有C.A.Mead在J.Appl.Phys.(应用物理期刊)，32,646(1961)的“Operation of Tunnel-Emission Devices(沟道发射器件的操作)”等中披露的电子发射器件。

至于表面传导型电子发射器件实例，已经公开的有M.I.Elinson在RadioEng.Electron Phys.(无线电工程电子物理)，10,1290(1965)等中披露的电子发射器件。

表面传导型电子发射器件所利用的是这样一种现象，即电流平行于膜表面流过形成于一衬底上的小面积薄膜时产生电子发射。关于表面传导型电子发射器件，有上述Elinson等人所用的SnO₂薄膜、有Au薄膜[G.Dittmer:“Thin Solidfilm(薄固态膜)”,9,317(1972)]、有In₂O₃/SnO₂薄膜[M.Hartwell和C.G.Fonstad:“IEEETrans.EDConf.,519(1975)]、有碳薄膜[ArakiHisashi等人：Shinku,26卷，第1期，第22页(1983)]型等。

在用上述电子发射器件来制作图象显示装置时，用于制作显示面板的方法包括以下步骤：制备一个作为RP的电子源衬底，电子发射器件在该电子源衬底上排列成矩阵型式，并制备一个作为FP的、具有受电子束激发而发射光线的荧光物质的荧光物质衬底；通过设置一个隔板而将FP和RP相对设置，提供一个封套和一抗大气压结构，以使电子发射元件和荧光物质位于其内部；用一种低熔点材料如烧结玻璃、铟等作为密封材料来密封内部；当由真空排气管将内部排成真空后，再将事先设置的真空排气管密封上。

根据上述已有技术的制作方法，制成一块显示面板需花相当长的时间，而且不适于制作内部真空度需达1×10^-6Pa或更高的显示面板。

此已有技术的缺陷已由日本专利申请公开第11-135018号中所述的方法所解决。

在日本专利申请公开第11-135018号所述的方法中，由于在将FP和RP放置在一个真空室内之后只用一个密封两个衬底的步骤，所以上述其他步骤如烘烤处理、吸气处理、电子束净化处理等制备显示面板所必须的处理步骤需依次在这一个真空室内进行。此外，由于只有在真空状态变为非真空状态时，FP和RP才能在真空室之间移动，所以在将FP和RP输送到每一真空室内时，都要对该真空室进行抽真空。由于存在这些原因，所以制作过程需花很长时间。因此，需要大大降低制作过程时间，同时要求在最后一个制作步骤期间、应在短时间内使显示面板内的真空度达到1×10^-6pa或更高。

本发明的一个目的在于：在制作图象显示装置过程中，能够易于降低抽真空时间且易于获得高真空度，从而提高制作效率。

根据本发明的一个方面，一种制作图象显示装置的方法，包括以下步骤：

a：在真空环境下制备第一衬底和第二衬底，第一衬底上设置有荧光激发器，第二衬底上的荧光物质受荧光激发器的激发而发射光线；

b：在真空环境下将第一和第二衬底之一或全部输送到真空环境的吸气处理室内，并对输送到的一个衬底或输送到的一个或两个衬底进行吸气处理；以及