[发明专利]由颗粒结构磁性薄膜构成的线路板无效
申请号: | 01112477.6 | 申请日: | 2001-04-04 |
公开(公告)号: | CN1321059A | 公开(公告)日: | 2001-11-07 |
发明(设计)人: | 粟仓由夫;渡边真也;白鸟聪;小野裕司 | 申请(专利权)人: | 株式会社东金 |
主分类号: | H05K1/00 | 分类号: | H05K1/00;H05K9/00;H01F10/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳,梁永 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 颗粒 结构 磁性 薄膜 构成 线路板 | ||
1.一种线路板,包括:
绝缘基体材料;
其上形成的导电体图案;和
在所述导电体图案上形成的磁性薄膜。
2.权利要求1的线路板,其中所述磁性薄膜沿着所述导电体图案的外部表面被形成在所述导电体图案上。
3.权利要求1的线路板,其中所述磁性薄膜被形成有夹在其中间的绝缘层,其覆盖了其上被形成了所述导电体图案的所述线路板的整个表面。
4.权利要求2的线路板,其中所述基体材料是软性材料构成的。
5.权利要求4的线路板,其中所述软性材料是聚酰亚胺。
6.权利要求1的线路板,其中所述磁性薄膜是通过溅射和蒸发沉积的至少一个生成的。
7.权利要求1的线路板,其中所述磁性薄膜的厚度是在0.3μm到20μm的范围内。
8.权利要求1的线路板,其中所述磁性薄膜由具有用M-X-Y表示之成分的磁性损耗材料构成,这里M是至少一个的Fe,Co和Ni,X是除了M或Y之外的至少一个元素,以及Y是至少一个的F,N和O,
所述磁性损耗材料是窄带的磁性损耗材料,其中,为所述磁性损耗材料复数导磁率特征之虚部分量的损耗系数μ”的最大值μ”max存在于100MHz到10GHz的频率范围内,和
通过标准化在其中心频率上的频带获得的半值宽度μ”50是在200%之内,在该中心频率上的频带中,所述μ”是等于或大于50%所述μ”max。
9.权利要求8的线路板,其中所述磁性损耗材料的X分量是C,B,Si,Al,Mg,Ti,Zn,Hf,Sr,Nb,Ta,和稀土元素的至少一种。
10.权利要求8的线路板,其中,在所述磁性损耗材料中,所述M以颗粒结构形式存在,分散在所述X-Y化合物基质中。
11.权利要求8的线路板,其中具有所述颗粒结构形式的颗粒M的平均颗粒直径是在1nm到40nm的范围内。
12.权利要求8的线路板,其中所述磁性损耗材料表现出600Oe(4.74×104A/m)或更小的各向异性磁场Hk。
13.权利要求8的线路板,其中所述磁性损耗材料是选自Feα-Alβ-Oγ和Feα-Siβ-Oγ。
14.权利要求8的线路板,其中所述磁性损耗材料中饱和磁化强度的大小是在仅仅由M分量构成的金属磁性体之饱和磁化强度的80%到60%的范围内。
15.权利要求8的线路板,其中所述磁性损耗材料表现出在100μΩ.cm到700μΩ.cm范围内的直流电阻率。
16.权利要求1的线路板,其中所述磁性薄膜由具有用M-X-Y表示之成分的磁性损耗材料构成,这里M是Fe,Co和Ni至少一个,X是除了M或Y之外的至少一个元素,以及Y是至少一个的F,N和O,
所述磁性损耗材料是宽带的磁性损耗材料,其中,为所述磁性损耗材料复数导磁率特征之虚部分量的损耗系数μ”的最大值μ”max存在于100MHz到10GHz的频率范围内,和
相对带宽bwr不小于150%,其中相对带宽bwr是通过提取在μ”为最大μ”maX的50%处的两个频率间的一个频率带宽并标准化在其中心频率的频率带宽而获得的。
17.权利要求16的线路板,其中所述磁性损耗材料中饱和磁化强度的大小是在仅仅由M分量构成的金属磁性体之饱和磁化强度的60%到35%的范围内。
18.权利要求16的线路板,其中所述磁性损耗材料表现出具有大于500μΩ.cm值的直流电阻率。
19.一种线路板,包括:
包括导电体部件的至少一层的板;和
至少在所述板或者所述导电体部件的一部分上配置的磁性薄膜。
20.权利要求19的线路板,其中所述导电体部件具有接地部件,其是接地表面或者是包括在所述板一个表面上配置的接地图案,并且所述接地部件的整个表面被磁性薄膜覆盖。
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