[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 01112232.3 | 申请日： | 2001-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1319879A | 公开（公告）日： | 2001-10-31 |
| 发明（设计）人： | 森本佳宏;米田清 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/324;H01L21/265;H01L21/302 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1．一种半导体装置的制造方法，其特征是具备：在绝缘性基板上形成非晶质半导体膜的工序；对该非晶质半导体膜进行加热处理的工序；以及用物理的除去方法除去因该加热处理而发生的上述非晶质半导体膜的突起的工序。
2．根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是：上述加热处理工序是照射激光并且进行熔融再结晶的工序。
3．根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征是：上述物理的除去方法是对上述突起照射离子铣的离子束使之除去的方法。
4．根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征是：上述离子铣的离子束入射方向与对上述非晶质半导体膜表面的垂线的夹角θ为60°-90°。
5．一种半导体装置，其特征是：通过照射离子束来除去在对绝缘性基板上形成的非晶质半导体膜进行加热处理时发生的上述非晶质半导体膜的突起，上述非晶质半导体膜的表面是平坦的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
