[发明专利]改善有机蒸发镀膜成膜性能的方法无效
申请号: | 01111412.6 | 申请日: | 2001-03-07 |
公开(公告)号: | CN1369921A | 公开(公告)日: | 2002-09-18 |
发明(设计)人: | 初国强;刘星元;刘云;王立军 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H05B33/10 |
代理公司: | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人: | 李恩庆 |
地址: | 130022 *** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改善 有机 蒸发 镀膜 性能 方法 | ||
1、一种改善有机蒸发镀膜成膜性能的方法,其特征是在有机蒸发镀膜成膜方法上,采用一种辅助沉积方法,所用的方法包括增加蒸发分子的能量,加大分子的迁移率,和轰击有机层膜,抑制、减少和消除有机层柱状结构的形成;所述的方法具体地是在蒸发镀膜的密闭容器内,增设一种装置,该装置使蒸发源上被蒸发的有机分子能量增加,同时轰击有机层,给有机层分子提供额外的激活能。
2、根据权利要求1所述的改善有机蒸发镀膜成膜性能的方法,其特征是所用的辅助沉积方法是离子辅助沉积,利用离子具有的能量,传递给蒸发分子,使分子迁移率变大,同时轰击有机层,将有机层“轰平”;离子作用在分子上的能量为上0.1ev~10ev。
3、根据权利要求2所述的改善有机蒸发镀膜成膜性能的方法,其特征是所述的离子辅助沉积方法所使用的装置是考夫曼源。
4、根据权利要求1所述的改善有机蒸发镀膜成膜性能的方法,其特征是所用的辅助沉积方法是电场辅助沉积,利用辅加电场增加蒸发分子能量,加大分子迁移率,消除有机层柱状结构;电场装置安装在衬底和蒸发源之间,并尽量靠近衬底。
5、根据权利要求4所述的改善有机蒸发镀膜成膜性能的方法,其特征是安装在衬底和蒸发源的电场装置是两片相对金属板,形状可以是长方形的,外接电源电压为1000伏~3000伏。
6、根据权利要求5所述的改善有机蒸发镀膜成膜性能的方法,其特征是使用霓虹灯电源并加一调压器调节输出电压。
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