[发明专利]将光栅从静电放电中隔开的方法

权利要求书

1．一种光刻掩模，它包含：

透光的衬底；

满铺在所述衬底上的光阻挡材料层，所述光阻挡材料被图形化和腐蚀，以提供集成电路的图象；以及

围绕图象的所述光阻挡材料层中的不连续性。

2．权利要求1的光刻掩模，其中所述衬底包含石英、钠钙玻璃、玻璃、蓝宝石、或氟化镉。

3．权利要求1的光刻掩模，其中所述光阻挡材料层包含铬、氧化铬、铜、金、钢、环氧树脂、硅化钼、或它们组成的多层。

4．权利要求1的光刻掩模，其中借助于腐蚀围绕图象的部分所述光阻挡材料，致使所述衬底暴露，来形成所述光阻挡材料中的不连续性。

5．权利要求1的光刻掩模，其中所述不连续性包含围绕图象的引导带，使静电荷在图象的所述光阻挡材料与所述衬底外边沿上的任何所述光阻挡材料之间被中断。

6．权利要求5的光刻掩模，其中所述引导带包含所述衬底材料。

7．权利要求5的光刻掩模，其中所述引导带的宽度约为1-50mm。

8．权利要求1的光刻掩模，还包括沿图象的外边沿安装的薄膜。

9．权利要求1的光刻掩模，还包括安装在所述引导带中的薄膜。

10．一种利用光学曝光工具将对应于集成电路的光刻图象，从所述掩模光学转移到半导体衬底上的光刻掩模，它包含：

具有顶部表面和外边沿的绝缘衬底；

包含对应于所述衬底顶部表面上的所述集成电路的光刻图形的中央区；

包含所述衬底顶部表面上的导电膜的内环形区，所述内环形区被用来将薄膜安装到所述掩模；以及

包含所述衬底顶部表面上的导电膜的外环形区，所述外环形区与所述内环形区分隔开，并向外延伸到所述衬底的外边沿。

11．权利要求10的光刻掩模，还包括安装在所述内环形区上的薄膜。

12．权利要求10的光刻掩模，还包括安装在所述外环形区上的薄膜。

13．权利要求10的光刻掩模，其中所述内环形区和所述外环形区之间的所述衬底部分是导电膜中的不连续性，从而明显地降低了所述中央区与所述环形区之间的静电放电。

14．权利要求10的光刻掩模，其中所述内环形区与所述外环形区之间的距离约为1-50mm。

15．一种光刻掩模，它包含：

衬底；

淀积在所述衬底上的光阻挡材料层；

具有多个借助于对所述光阻挡材料进行图形化和腐蚀而制作的集成电路图形的所述衬底的中央区；

围绕各个所述多个集成电路图形的代表所述光阻挡材料中的不连续性的以明显地降低静电放电的引导带。

16．权利要求15的光刻掩模，其中所述衬底是选自钠钙玻璃、石英、玻璃、蓝宝石、或氟化镉的透光材料。

17．权利要求15的光刻掩模，其中所述光阻挡材料包含铬、氧化铬、铜、金、钢、环氧树脂、硅化钼、或它们组成的多层。

18．权利要求15的光刻掩模，其中所述引导带的宽度约为1-50mm。

19．一种制造光刻用的光栅的方法，它包含下列步骤：

提供透光的衬底；

在其上淀积光阻挡材料；

将所述光阻挡材料图形化和腐蚀成所需的对应于集成电路的图形；以及

围绕所需图形形成所述光阻挡材料中的不连续性，其中所述的不连续性不延伸到所述衬底的外边沿。

20．权利要求19的方法，其中提供透光衬底的步骤，包含提供包含钠钙玻璃、石英、玻璃、蓝宝石、或氟化镉的透光衬底。

21．权利要求19的方法，其中淀积光阻挡材料的步骤，包含淀积包含铬、氧化铬、铜、金、钢、环氧树脂、硅化钼、或它们组成的多层的光阻挡材料。

22．权利要求19的方法，其中形成所述光阻挡材料中的不连续性的步骤，包含形成宽度约为1-50mm的围绕所需图形的所述光阻挡材料中的不连续性。