[发明专利]过电流保护装置

权利要求书

1、一种过电流保护装置，包含：

一电流检测元件，为具有正温度系数的导电复合材料，包括

至少一聚合物；及

一导电填料，散布于该聚合物的内；以及

至少两电极，贴合于该电流检测元件的两侧；

其特征在于该聚合物的熔点高于110℃，卫式软化点低于110℃，该电流检测元件的厚度介于0.025毫米至0.25毫米之间，且其20℃电阻系数不超过2.0ohm-cm。

2.如权利要求1所述的装置，其中该聚合物为聚烯烃类聚合物。

3.如权利要求1所述的装置，其中该聚合物是选自下列群组：聚乙烯、聚丙烯及聚辛烯。

4.如权利要求1所述的装置，其中该导电填料为碳黑、金属粉末或碳化陶瓷性粉末。

5.如权利要求4所述的装置，其中该金属粉末为镍粉、银粉或其混合物。

6.如权利要求4所述的装置，其中该碳化陶瓷性粉末为碳化钛或碳化钨。

7.如权利要求1所述的装置，其中该具有正温度系数的导电复合材另包含一非导电填料，且散布于该聚合物之内。

8.如权利要求7所述的装置，其中该非导电填料为无机或是有机形式。

9.如权利要求8所述的装置，其中该无机非导电填料是选自：氢氧化镁、三氧化钛、碳酸钙。

10.如权利要求8所述的装置，其中该有机非导电填料是选自：矽化物、丙烯酸类、胺类、硫化物、羧酸类、脂肪酸类及酯类的衍生物及其盐类或是非晶形聚合物。

11.如权利要求1所述的装置，其中该电极为一金属薄片。

12.如权利要求11所述的装置，其中该金属薄片为镀镍铜箔；

13.如权利要求1所述的装置，其中该电极相对于该电流检测元件的另一侧粘附一金属导电片。

14.如权利要求13所述的装置，其中该金属导电片为镍片。

15.如权利要求1所述的装置，其中该PTC导电复合材料是经放射线照射且累积计量至少20Mrads。

16.如权利要求15所述的装置，其中该PTC导电复合材料是经放射线照射且累积计量25至35Mrads。

17.如权利要求1所述的装置，其中该PTC导电复合材料另渗入一添加剂以增强其物理特性。

18.如权利要求17所述的装置，其中该添加剂为一光起始剂、交链剂、偶合剂、分散剂、稳定剂或抗氧化剂。

19.如权利要求1项的装置，是以下列步骤完成：

(a)将一聚合物、一导电填料及一非导电填料充分混合均匀以形成一PTC导电复合材料；

(b)将该PTC导电复合材料与至少二电极进行压合，以形成一PTC板材，其中，该PTC导电复合材料经压合后，形成一薄片片大的电流检测元件；

(c)将该PTC板材以放射线照射，且累积的照射计量至少为20Mrads，使PTC导电复合材料产生交链反应；及

(d)将该PTC板材冲切形成该过电流保护装置。

20.如权利要求19所述的装置，于步骤(d)之后另包含一步骤，用以将二金属导电片粘附于该电极相对于该电流检测元件的另一侧。

21.如权利要求18所述的装置，其中步骤(b)的压合方式，是将熔融后的该PTC导电复合材料以挤压的方式注入电极间所形成。

22.如权利要求18所述的装置，其中步骤(b)的压合方式，是将该PTC导电复合材料与二电极以热压而形成。

23.一种过电流保护装置，包含一电流检测元件及二电极，其中该电流检测元件是由一具有正温度系数的导电复合材料所形成，该导电复合材料包含：

至少一聚合物，该聚合物的熔点高于110℃，卫式软化点低于110℃；及

一导电填料，散布于该聚合物之内。

24.如权利要求23所述的材料，其中该聚合物为聚烯烃类聚合物。