[发明专利]磁电阻效应装置、磁头、磁记录设备和存储装置

权利要求书

1.一种磁电阻效应装置，包括：

一自由层，其磁化方向可容易地被一外部磁场旋转；

一非磁性层；和

一被钉扎层，其磁化方向不能容易地被一外部磁场旋转，该被钉扎层位于与形成自由层的表面相对的非磁性层的表面上，

其中被钉扎层包括：

一用于交换耦合的第一非磁性膜；和

通过第一非磁性膜彼此反铁磁性交换耦合的第一和第二磁性膜，和

第一非磁性膜包含Ru、Ir、Rh和Re的氧化物之一。

2.根据权利要求1的磁电阻效应装置，其中该磁电阻效应装置为沟道型磁电阻效应装置。

3.根据权利要求1的磁电阻效应装置，其中进一步包括一与被钉扎层磁性交换耦合的反铁磁性膜。

4.根据权利要求1的磁电阻效应装置，其中

该自由层包括：

用于交换耦合的一第二非磁性层，和

通过第二非磁性膜彼此反铁磁性交换耦合的第三和第四磁性膜；

用于交换耦合的第二非磁性膜包含Ru、Ir、Rh和Re的氧化物之一；和

第三磁性膜的磁化密度为M1，厚度为t1，第四磁性膜的磁化密度为M2，厚度为t2，积(M1×t1)基本上不同于积(M2×t2)。

5.根据权利要求4的磁电阻效应装置，其中第一至第四磁性膜中的至少一个主要包含钴(Co)并包含硼(B)。

6.根据权利要求1的磁电阻效应装置，其中第一和第二磁性膜中的至少一个主要包含钴(Co)并包含硼(B)。

7.根据权利要求1的磁电阻效应装置，其中进一步包括：

一与被钉扎层磁性交换耦合的反铁磁性层；和

主要包含NiFeCr的底层，该底层位于与形成被钉扎层的表面相对的反铁磁性层的表面上。

8.一种磁电阻效应装置，包括：

一自由层，其磁化方向可容易地被一外部磁场旋转；

一非磁性层；和

一被钉扎层，其磁化方向不能容易地被一外部磁场旋转，该被钉扎层位于与形成自由层的表面相对的非磁性层的表面上，

其中该被钉扎层包括：

    一用于交换耦合的第一非磁性膜；和

    通过第一非磁性膜彼此反铁磁性交换耦合的第一和第二磁性膜，

第一非磁性膜包含Ru、Ir、Rh和Re的氧化物之一，和

第一磁性膜的磁化密度为M1，厚度为t1，第二磁性膜的磁化密度为M2，厚度为t2，积(M1×t1)基本上不同于积(M2×t2)。

9.根据权利要求8的磁电阻效应装置，其中该磁电阻效应装置为沟道型磁电阻效应装置。

10.根据权利要求8的磁电阻效应装置，其中进一步包括：

一与被钉扎层磁性交换耦合的反铁磁性层；和

主要包含NiFeCr的底层，该底层位于与形成被钉扎层的表面相对的反铁磁性层的表面上。

11.一种磁头，用于检测来自记录介质的信号磁场，包括：

分别包括一种磁性物质的两个屏蔽部；和

位于该两个屏蔽部之间的间隙中的如权利要求1所述的磁电阻效应装置。

12.一种磁头，用于检测来自记录介质的信号磁场，包括：

分别包括一种磁性物质的两个屏蔽部；和

位于该两个屏蔽部之间的间隙中的如权利要求8所述的磁电阻效应装置。

13.一种磁头，包括：

一包括一种磁性物质的磁通引导部；和

用于检测由磁通引导部引入的信号磁场的如权利要求1所述的磁电阻效应装置。

14.一种磁头，包括：

一包括一种磁性物质的磁通引导部；和

用于检测由磁通引导部引入的信号磁场的如权利要求8所述的磁电阻效应装置。

15.一种磁性记录介质，包括：

用于将信号记录在记录介质中的如权利要求11所述的磁头；

一个臂，其上安装磁头；

一驱动该臂的驱动部；和

一信号处理部，用于处理信号，并将处理后的信号提供给磁头。