[发明专利]高分子基热敏阻抗元件及其制造方法

权利要求书

1、一种高分子基热敏电阻元件的制造方法，包括下述步骤：

提供一高分子基材；

对该高分子基材搀入导电粒子，使该搀有导电性粒子的高分子基材成为填充复合材料；

对该填充复合材料进行交联；

对该交联过的填充复合材料进行简式剪切力加工，使该填充复合材料的应变量大于百分之一。

2、如权利要求1所述的高分子基热敏电阻元件的制造方法，其中所述高分子基材为高密度聚乙烯。

3、如权利要求1所述的高分子基热敏电阻元件的制造方法，其中所述导电粒子为高导电炭黑。

4、如权利要求1所述的高分子基热敏电阻元件的制造方法，其中所搀入的导电粒子的重量比为百分之五至百分之五十。

5、如权利要求4所述的高分子基热敏电阻元件的制造方法，其中所搀入的导电粒子的重量比为百分之十。

6、如权利要求1所述的高分子基热敏电阻元件的制造方法，其中对该填充复合材料进行交联，是使用γ射线照射。

7、如权利要求6所述的高分子基热敏电阻元件的制造方法，其中对该填充复合材料进行交联，是使用10Mrads以上的γ射线照射。

8、如权利要求7所述的高分子基热敏电阻元件的制造方法，其中对该填充复合材料进行交联，是使用15Mrads以上的钴六十γ射线照射。

9、如权利要求1所述的高分子基热敏电阻元件的制造方法，其中所进行的简式剪切力加工，使该填充复合材料的应变量达到百分之五至百分之三百之间。

10、如权利要求1所述的高分子基热敏电阻元件的制造方法，其中所进行的简式剪切力加工，使该填充复合材料的应变量达到百分之一百。

11、如权利要求1所述的高分子基热敏电阻元件的制造方法，其中所述导电粒子为镀镍石墨粉。

12、如权利要求11所述的高分子基热敏电阻元件的制造方法，其中所搀入的导电粒子的重量比为百分之六十五至百分之九十。

13、如权利要求12所述的高分子基热敏电阻元件的制造方法，其中所搀入的导电粒子的重量比为百分之七十五。

14、如权利要求11所述的高分子基热敏电阻元件的制造方法，其中所进行的简式剪切力加工，使所述填充复合材料的应变量达到百分之一至百分之三百之间。

15、如权利要求1所述的高分子基热敏电阻元件的制造方法，其中所述导电粒子为导电炭黑。

16、如权利要求15所述的高分子基热敏电阻元件的制造方法，其中所搀入的导电粒子的重量比为百分之五十。

17、如权利要求16所述的高分子基热敏电阻元件的制造方法，其中对该填充复合材料进行交联，是使用20Mrads以上的钴六十γ射线照射。

18、一种填充复合材料热敏元件的制造方法，包括下述步骤：设一搀有导电粒子的复合材料；而后对该搀有导电粒子的复合材料进行交联；再对该交联过的复合材料进行剪切式加工，使该复合材料中的导电粒子在一方向形成不连续相。

19、如权利要求18所述的填充复合材料热敏元件的制造方法，其中所述复合材料为高密度聚乙烯。

20、如权利要求18所述的填充复合材料热敏元件的制造方法，其中所述导电粒子为高导电炭黑。

21、如权利要求18所述的填充复合材料热敏元件的制造方法，其中所搀入的导电粒子的重量比为百分之五至百分之五十。

22、如权利要求18所述的填充复合材料热敏元件的制造方法，其中对该填充复合材料进行交联，是使用γ射线照射。

23、如权利要求18所述的填充复合材料热敏元件的制造方法，其中对所述填充复合材料进行交联，是使用10Mrads以上的γ射线照射。

24、如权利要求18所述的填充复合材料热敏元件的制造方法，其中所进行的简式剪切力加工，使所述填充复合材料的应变量达到百分之五至百分之三百之间。