[发明专利]具有低介电常数的高热导层的半导体组件的制造方法

权利要求书

1.一种具有低介电常数的高热导层的半导体组件制造方法，用以在具有一金属连线的半导体基底上方形成一内金属介电层，其特征在于：该半导体组件制造方法包括：

形成一下层氧化层于该半导体基底上方；

形成一具有低介电常数的可流动性的沟填层；

形成一光阻层于该沟填层上方，并定义该沟填层以得到一反调光阻；

进行氮气离子植入，在该沟填层中形成一高热导结构；

移除该反调光阻；

沉积一顶氧化层于该沟填层上方。

2.根据权利要求1所述的半导体组件制造方法，其特征在于：该下层氧化层厚度约500～3000。

3.根据权利要求1所述的半导体组件制造方法，其特征在于：该下层氧化层系以电浆化学沉积法形成。

4.根据权利要求1所述的半导体组件制造方法，其特征在于：该沟填层为有机高分子化合物R7。

5.根据权利要求1所述的半导体组件制造方法，其特征在于：该沟填层为氢三氧硅甲烷。

6.根据权利要求1所述的半导体组件制造方法，其特征在于：该光阻层厚度约5000～1000。

7.根据权利要求1所述的半导体组件制造方法，其特征在于：该反调光阻系覆盖于该金属连线以外的部份。

8.根据权利要求1所述的半导体组件制造方法，其特征在于：该顶氧化层厚度约为1000～7000。

9.根据权利要求1所述的半导体组件制造方法，其特征在于：该内金属介电层包括该下层氧化层、沟填层、高热导结构与顶氧化层。

10.一种具有低介电常数的高热导层的半导体组件制造方法，其特征在于：包括：

设一下层氧化层于一半导体基底上方；

设一具有低介电常数的可流动性的沟填层；

设一光阻层于该沟填层上方，并定义该沟填层，以得到一反调光阻，覆盖于该金属连线以外的部份；

以该反调光阻为离子植入罩幕，进行氮气离子植入，于该沟填层中形成一高热导结构；

移除该反调光阻；

沉积一顶氧化层于该沟填层上方，形成一内金属介电层。

11.根据权利要求10所述的半导体组件制造方法，其特征在于：该下层氧化层厚度约500～3000。

12.根据权利要求10所述的半导体组件制造方法，其特征在于：该下层氧化层系以电浆化学沉积法形成。

13.根据权利要求10所述的半导体组件制造方法，其特征在于：该沟填层为有机高分子化合物R7。

14.根据权利要求10所述的半导体组件制造方法，其特征在于：该沟填层为氢三氧硅甲烷。

15.根据权利要求10所述的半导体组件制造方法，其特征在于：光阻层厚度约5000～1000。

16.根据权利要求10所述的半导体组件制造方法，其特征在于：该反调光阻系覆盖于该金属连线以外的部份。

17.根据权利要求10所述的半导体组件制造方法，其特征在于：该顶氧化层厚度约为1000～7000。

18.根据权利要求10所述的半导体组件制造方法，其特征在于：内金属介电层包括该下层氧化层、沟填层、高热导结构与顶氧化层。