[发明专利]一种镀有金属反射镜膜基板的发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制造方法，该方法系以镀有金属反射膜的基板当作永久性基板，包括：

(A)选择一暂时性基板，使得于此暂时性基板上成长LED发光区，以形成LED组件；

(B)选择一永久性基板，并于该永久性基板镀上金属反射膜，并以该金属反射膜作为一金属黏贴层，将该LED组件黏贴于该永久性基板上；

(C)将黏贴有永久性基板的LED组件的另一侧的暂时性基板以机械研磨或化学蚀刻剂去除；

(D)制作平面型LED组件，其基板为该永久性基板；

(E)在平面型LED组件上形成欧姆接触电极。

2.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该永久性基板是选自硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氧化铝(Al2O3)、玻璃、磷化镓(GaP)、氮化硼(BN)、氮化铝(AlN)基板。

3.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该金属反射膜可做为LED接触电极，该LED接触电极皆于同一平面；且将该金属反射膜可代替欧姆接触电极。

4.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该金属反射膜的金属是选自铟(In)、锡(Sn)、铝(Al)、金(Au)、铂(Pt)、锌(Zn)、银(Ag)、钛(Ti)、铅(Pb)、金铍(AuBe)、金锗(AuGe)、镍(Ni)、铅锡(PbSn)或金锌(AuZn)金属。

5.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该暂时性基板是选自GaAs或InP。

6.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该LED组件可为p/n接面、n/i/p接面或n/p接面。

7.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该LED组件的发光区可为传统结构，包括：

上披覆层(upper cladding layer)/活性层(active layer)/下披覆层(lower cladding layer)的双异质结构(Double hetero structure)发光区、单异质结构(Single hetero structure)发光区、及均质结构(Homostructure)发光区。

8.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中，该蚀刻剂是由盐酸及磷酸所组成。

9.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该LED组件具有一蚀刻停止层(etching stop layer)，该蚀刻停止层设于该LED发光区与该暂时性基板间，使得该暂时性基板可有效去除。

10.如权利要求9所述的发光二极管的制造方法，其中该蚀刻停止层的材料主要为抗基板蚀刻液的材料，其可选Al_xGa_1-xAs，x＞0.2或In_xGa_1-xP，0.55＞x＞0.45。

11.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该金属反射膜，系以热蒸镀或电子枪蒸镀等溅镀法镀上该金属反射膜，且以此金属反射膜当做该金属黏贴层。

12.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该金属反射膜(金属黏贴层)可将该LED组件黏贴于该永久性基板上，系提供一夹具，将已洗净的LED组件与镀有金属反射膜(金属黏贴层)的该永久性基板于空气中、水中或酒精中黏贴，再将此经暂时性黏贴的基板置入该夹具中，并经由一热处理方式，以提供较佳的黏贴效果。

13.如权利要求12所述的发光二极管的制造方法，其中将该LED组件黏贴于该镀有金属反射膜的永久性基板上时，其中所提供的该夹具配合该热处理方式，系利用夹具中两者材料热膨胀系数的不同，对该两片芯片施加压力而使芯片对(wafer pair)在高温中黏贴在一起。

14.如权利要求12所述的发光二极管的制造方法，其中该夹具的主材料为石墨，且其中的螺丝材料为含碳量低、耐高温且硬度够的不锈钢材料。

15.如权利要求12所述的发光二极管的制造方法，其中该热处理的方式是在慢速升温的炉管中进行。