[发明专利]绝缘陶瓷、多层陶瓷基片和层叠的陶瓷电子部件无效
申请号: | 01108379.4 | 申请日: | 2001-03-06 |
公开(公告)号: | CN1319571A | 公开(公告)日: | 2001-10-31 |
发明(设计)人: | 森直哉;近川修 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | C04B35/01 | 分类号: | C04B35/01;C04B35/04;C03C3/064;C03C3/089;H01B3/12 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 沈昭坤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘 陶瓷 多层 层叠 电子 部件 | ||
1.一种绝缘陶瓷,其特征在于包含MgO-MgAl2O4陶瓷和硼硅玻璃的焙烧混合物,其中所述焙烧混合物中,MgAl2O4结晶相和Mg3B2O6结晶相与Mg2B2O5结晶相中的至少一个是主结晶相。
2.如权利要求1所述的绝缘陶瓷,其特征在于所述硼硅玻璃包含氧化硼、氧化硅、氧化镁和碱金属氧化物。
3.如权利要求2所述的绝缘陶瓷,其特征在于所述硼硅玻璃包含大约15到65%重量的B2O3形式的氧化硼,大约8到50%重量的SiO2形式的氧化硅,大约10到45%重量的MgO形式的氧化镁,和大约0到20%重量的氧化物形式的碱金属氧化物。
4.如权利要求3所述的绝缘陶瓷,其特征在于所述硼硅玻璃还包含大约20%重量或更少的氧化铝。
5.如权利要求3所述的绝缘陶瓷,其特征在于所述硼硅玻璃还包含大约30%重量或更少的氧化锌。
6.如权利要求3所述的绝缘陶瓷,其特征在于所述硼硅玻璃还包含大约10%重量或更少的氧化铜。
7.如权利要求1所述的绝缘陶瓷,其特征在于包含的所述MgO-MgAl2O4陶瓷和所述硼硅玻璃重量比从大约20∶80到80∶20。
8.如权利要求1所述的绝缘陶瓷,其特征在于所述MgO-MgAl2O4陶瓷由xMgO-yMgAl2O4表示,其中x和y分别满足10≤x≤90;10≤y≤90;和x+y=100。
9.如权利要求1所述的绝缘陶瓷,其特征在于存在大约5到80%重量的MgAl2O4结晶相,和大约5到7%重量的Mg3B2O6和Mg2B2O5结晶相中的至少一种。
10.如权利要求9所述的绝缘陶瓷,其特征在于所述MgO-MgAl2O4陶瓷是大约是焙烧的混合物的20-80重量百分比,并由xMgO-yMgAl2O4表示,其中x和y是重量,并且10≤x≤90;10≤y≤90;和x+y=100;而且,其中所述硼硅玻璃包含大约15到65%重量的B2O3形式的氧化硼,大约8到50%重量的SiO2形式的氧化硅,大约10到45%重量的MgO形式的氧化镁,0到大约20%重量的氧化物形式的碱金属氧化物,大约20%重量或更少的氧化铝,大约30%重量或更少的氧化锌和大约10%重量或更少的氧化铜。
11.一种多层陶瓷基片,其特征在于包含:
陶瓷板,包含如权利要求1所述的绝缘陶瓷的绝缘陶瓷层;和
所述陶瓷板的绝缘陶瓷层中的多个内部电极。
12.如权利要求11所述的多层陶瓷基片,其特征在于在具有第二陶瓷层,其介电常数高于层叠在所述绝缘陶瓷层至少一侧上的所述绝缘陶瓷层。
13.如权利要求12所述的多层陶瓷基片,其特征在于所述多个内部电极是相互层叠的,从而所述绝缘陶瓷层中的至少一部分设置在所述一对内部电极上,由此形成层叠的电容器。
14.如权利要求13所述的多层陶瓷基片,其特征在于所述多个内部电极额外地包含线圈导体,并且所述线圈导体相互连接,由此构成层叠的电感器。
15.一种陶瓷电子部件,其特征在于包含:
如权利要求12所述的多层陶瓷基片;和
所述多层陶瓷基片上的至少一个电子装置,所述电子装置与所述多个内部电极形成电路。
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