[发明专利]电子枪及使用该电子枪的彩色阴极射线管无效
申请号: | 01104729.1 | 申请日: | 2001-02-19 |
公开(公告)号: | CN1313627A | 公开(公告)日: | 2001-09-19 |
发明(设计)人: | 权容杰;尹荣晙;金德镐;李良济;尹光珍 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01J29/48 | 分类号: | H01J29/48;H01J29/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 郑建晖,黄力行 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子枪 使用 彩色 阴极射线管 | ||
本发明涉及彩色阴极射线管,尤其涉及具有能改善偏转(散焦或像差)或彗差的改进的屏蔽杯的电子枪,以及使用该电子枪的彩色阴极射线管。
图1示出了采用自会聚偏转轭的阴极射线管,该阴极射线管用于电视机和监视器。如图1所示,彩色阴极射线管10包括:具有荧光屏11的面板12,在荧光屏内侧上设有点或带状图案的红、绿和蓝荧光材料;锥体13,其包括颈部13a和锥部13b并紧固到面板12上;电子枪20,其容纳在锥体13的颈部13a内;以及偏转轭15,其贯穿锥体13的锥部13b,用于偏转从电子枪20发射出来的电子束。
如图2所示,电子枪20包括三个排成直线的阴极21,与阴极21隔开预定距离且具有三个排成直线的电子束通道的多个电极22,末级加速电极23,以及安装到末级加速电极23上的屏蔽杯24。
在具有这种结构的彩色阴极射线管10中,电子枪20发射的三个电子束经偏转轭15被选择性地偏转并落在荧光屏11上,激发荧光材料,从而显示图象。
在这个过程中,使电子枪20发射的电子束偏转的偏转磁场由枕形水平偏转磁场HB和桶形垂直偏转磁场VB组成,如图3所示,使得它能将三束排成直线的光束会聚到荧光屏11上而没有动态会聚。但是,如图4所示,由偏转轭形成的磁场的磁通密度在水平方向上从中心向边缘增大,这样,三个电子束(R,G和B电子束)中两端的红(R)和蓝(B)电子束的横截面被扭曲。换言之,如图5所示,R和B电子束受到偏转轭枕形磁场HB带来的箭头方向的力的作用,在R和B电子束周围出现晕圈现象。在R和B电子束中出现的晕圈现象朝荧光屏的边缘变差,如图6所示。因此,落在荧光屏边缘上的电子束量级改变。电子束的晕圈现象和电子束横截面的不均匀性降低了通过激发荧光屏而形成的图象清晰度。
日本专利公报No.4-52586、日本专利特开昭No.51-61766、日本专利特开昭No.51-64368和日本专利公报No.10-116569公开了减少彗差问题的电子枪的例子。
根据所公开的工艺结构,使三个电子束的路径变窄的上下扁平电极布置在直线型电子枪的屏蔽杯的底面上,从而与电子束的直线方向平行且朝主透镜或荧光屏延伸。或者,将电子枪设计成使得静电四级透镜形成在一些电极之间,静电四级透镜的强度随对应于电子束之偏转的偏转信号而变化,从而实现整个屏幕上图象的均匀性。在另一个例子中,在形成预聚焦透镜的各电极之间的区域内设置像散透镜,从而在整个荧光屏上实现电子束横截面的均匀性。在另一个例子中,使电子枪的第一和第二电极的电子束通道具有不同的宽高比,从而防止落在荧光屏中心和边缘上的电子束扭曲。
日本专利公报No.10-116570公开了一种校正电子束偏转的结构,其中磁片部分地布置在形成电子枪的电极中,电子枪安装在阴极射线管的颈部中,磁场产生装置布置在颈部的外表面上,从而产生与偏转信号同步的磁场并激励磁片。
美国专利No.5,912,530公开了一种利用偏转磁场校正偏转的结构,其中左右磁片布置在发射三束成直线的电子束的电子枪的其中一个电极中,磁片布置在中央电子束和边缘电子束之间。
美国专利No.5,818,156公开了一种校正偏转的结构,其中将磁性材料附着到偏转磁场内屏蔽电极中每个侧面电子束通道的上、下部分上。
如上所述,当与提供给偏转轭的信号同步地变换电子束通道的形状或改变电子透镜的放大率以利用偏转磁场校正电子束的偏转时,制造电子枪和控制电子束是很难的。此外,当将磁片成直线附着到布置在屏蔽杯底面上的每个电子束通道两侧并附着在电子束通道之间时,磁片形状的复杂性由于部件形状造成过度分散并导致难以组装,从而阻碍生产率的提高。
为了解决上述问题,本发明的目的是提供一种直线型电子枪和使用电子枪的彩色阴极射线管,用于减少由于偏转轭磁场不均匀造成的偏转(散焦或像差)或彗差并减小由于排成直线的侧面电子束偏转造成的压差,从而改善整个荧光屏上图象的清晰度。
因此,为了实现本发明的以上目的,在第一方面,提供一种用于彩色阴极射线管的电子枪。电子枪包括排成直线的阴极;多个电极,从阴极开始顺序布置且具有使三个电子束通过的电子束通道;屏蔽杯,它与多个电极中的最后一个电极耦合,并设有排成直线的电子束通道;以及至少一个彗差校正部分(coma correction portion),其布置在屏蔽杯上或多个电极中的一个或多个电极上,其布置的方式是使彗差校正部分定位在中央电子束通道中心和侧面电子束通道中心之间的空间的上方和下方。
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